法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵（簡稱GaN）外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達成最終協(xié)議，以3,000萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司。同時，這一協(xié)議還將根據(jù)盈利能力支付計劃支付額外的獎金。 EpiGaN的GaN產(chǎn)品主要用于RF（射頻）、5G、電子元器件和傳感器應(yīng)用。預(yù)計未來五年內(nèi)，GaN技術(shù)的市場應(yīng)用規(guī)模將達到每年50萬至一百萬個晶圓。

Soitec首席執(zhí)行官Paul Boudre表示：“目前，GaN技術(shù)在射頻和功率市場中的應(yīng)用備受矚目。GaN 外延硅片材料與Soitec目前的優(yōu)化襯底產(chǎn)品系列將形成戰(zhàn)略上的天作之合。收購EpiGaN進一步擴展并補充了Soitec的硅產(chǎn)品組合，為射頻、5G和功率系統(tǒng)創(chuàng)造了新的工藝解決方案，為用戶增效?！?/p>

在移動領(lǐng)域，實現(xiàn)性能、低功耗和成本的共同優(yōu)化至關(guān)重要。與4G相比，5G 低于6GHz頻段和毫米波的到來正在推動新一代基站的發(fā)展，它需要更高能效、更高性能、更小、更有經(jīng)濟效益的功率放大器（PA）。更小、更輕、更高效和更具成本效益是當(dāng)今基站設(shè)計的趨勢，Soitec將擴展其應(yīng)用于PA的產(chǎn)品組合，并以GaN產(chǎn)品領(lǐng)銜這一趨勢。

EpiGaN聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Marianne Germain博士表示，“多年來，EpiGaN在GaN技術(shù)領(lǐng)域備受行業(yè)認可，目前研制出并優(yōu)化了一種可投入使用的技術(shù)，應(yīng)用于5G寬帶網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。我們的技術(shù)為Soitec的客戶創(chuàng)造了絕佳的機會，可以針對新興高增長市場快速開發(fā)產(chǎn)品解決方案，例如射頻設(shè)備、高效電源開關(guān)設(shè)備和傳感器設(shè)備。”

EpiGaN總監(jiān)兼基石投資公司LRM代表Katleen Vandersmissen則表示：“EpiGaN開發(fā)的GaN技術(shù)開啟了許多未來機遇。我們相信作為EpiGaN的卓越合作伙伴，Soitec將充分挖掘EpiGaN的市場發(fā)展?jié)摿?。?/p>

此外，鑒于GaN在功率晶體管設(shè)計中的應(yīng)用，收購EpiGaN還將為Soitec現(xiàn)有的Power-SOI產(chǎn)品創(chuàng)造新的增長空間。Power-SOI和GaN均可滿足智能化、節(jié)能化和高可靠的集成電路設(shè)備對于綜合高壓和模擬功能的要求，以便廣泛應(yīng)用于消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車和工業(yè)市場。EpiGaN將被整合成為Soitec的一個業(yè)務(wù)部門。