美中貿(mào)易戰(zhàn)升溫，全球經(jīng)濟(jì)也蒙陰霾，整合元件制造廠（IDM）需求降溫，委外代工訂單縮減，功率半導(dǎo)體相對(duì)去年，市況明顯較冷卻。

IDM廠需求降溫

功率產(chǎn)品為主的晶圓代工世界先進(jìn)去年下半年雖經(jīng)歷美中貿(mào)易戰(zhàn)、美元升息等變數(shù)，但全年合并營(yíng)收289.28億元、年增16.13%，創(chuàng)歷年新高，稅后凈利61.66億元、年增36.9%，每股稅后盈余3.72元，獲利也創(chuàng)新高。

今年上半年，因整體大環(huán)境需求疲弱，客戶調(diào)整庫(kù)存比預(yù)期慢，世界先進(jìn)第一季營(yíng)收69.07億元、季減10.4%，稅后凈利13.88億元、季減達(dá)28%，為近4季新低，每股稅后盈余0.85元；預(yù)估第二季營(yíng)收將續(xù)下滑，季減約1.5%到7.3%，毛利率將從上季的36.1%下滑。

業(yè)界指出，電源管理IC、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管）去年價(jià)量俱揚(yáng)，但到第四季受美中貿(mào)易戰(zhàn)影響，需求減緩，中國(guó)客戶拉貨轉(zhuǎn)趨保守，沖擊6吋晶圓代工廠接單陡降，產(chǎn)能利用率下滑，今年擴(kuò)散到國(guó)際知名的IDM廠客戶，隨著客戶需求降溫，委外代工訂單縮減，致使世界先進(jìn)今年上半年較疲弱。世界先進(jìn)預(yù)估今年出貨量約231.7萬片8吋晶圓，將較去年的233萬片小減0.56%。

世界先進(jìn)獲利不樂觀

法人表示，隨著美中貿(mào)易戰(zhàn)升溫，功率半導(dǎo)體仍消化庫(kù)存中，下半年復(fù)蘇恐有變數(shù)，世界先進(jìn)今年獲利將不如預(yù)估樂觀，部分外資調(diào)降世界先進(jìn)評(píng)等至「中立」，目標(biāo)價(jià)下修為59元。

茂矽、漢磊去年?duì)I運(yùn)皆出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)，但今年市況變差，殺價(jià)與搶單重現(xiàn)，2家公司第一季營(yíng)運(yùn)再度出現(xiàn)虧損，預(yù)期今年將又是挑戰(zhàn)的一年。

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢?cè)谧钚隆吨袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣。

其中功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長(zhǎng)14.7%；電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長(zhǎng)8%。

集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年景氣仍然持續(xù)向上。雖然仍受到全球貿(mào)易不穩(wěn)定等因素影響，但在需求驅(qū)動(dòng)下，受影響程度要小于其他IC產(chǎn)品。集邦咨詢預(yù)估，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2,907億元人民幣，較2018年成長(zhǎng)12.17%，維持雙位數(shù)的成長(zhǎng)表現(xiàn)。

受益于國(guó)產(chǎn)替代的政策推動(dòng)和缺貨漲價(jià)的狀況，2018年多家中國(guó)本土功率半導(dǎo)體廠商取得亮眼的成績(jī)，并擴(kuò)大布局。其中，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢(shì)，在車用IGBT市場(chǎng)快速崛起，取得中國(guó)車用IGBT市場(chǎng)超過兩成的市占率，一躍成為中國(guó)銷售額前三的IGBT供應(yīng)商；MOSFET廠商華微電子和揚(yáng)杰科技營(yíng)收大增，并且逐漸導(dǎo)入IGBT市場(chǎng)。

另外，新建與規(guī)劃中的IGBT產(chǎn)線有士蘭微廈門12寸特色工藝產(chǎn)線、華潤(rùn)微電子在重慶建設(shè)的12寸特色工藝產(chǎn)線，以及積塔半導(dǎo)體專業(yè)汽車級(jí)IGBT產(chǎn)線等。同時(shí)，多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術(shù)領(lǐng)域，基本半導(dǎo)體的SiC MOSFET已進(jìn)入量產(chǎn)上市，而定位為代工的三安光電SiC產(chǎn)線也已開始接單、比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET，其目標(biāo)是到2023年實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET對(duì)硅基IGBT的全面替代。

展望2019年，從終端需求來看，新能源汽車仍然為中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)最大需求來源，根據(jù)集邦咨詢資料顯示，2019年中國(guó)新能源車產(chǎn)量預(yù)估為150萬輛，較前一年成長(zhǎng)45%，其ADAS系統(tǒng)、電控以及充電樁的需求將帶動(dòng)功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模約270億元。同時(shí)，5G建設(shè)所需的基站設(shè)備及其普及后帶來物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算的快速發(fā)展，將對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)生長(zhǎng)期大量需求，另外，工業(yè)自動(dòng)化規(guī)劃持續(xù)推進(jìn)，與之相關(guān)的電源、控制、驅(qū)動(dòng)電路將持續(xù)推升中國(guó)功率半導(dǎo)體的采購(gòu)。

從供應(yīng)端來看，2019年雖然有3-5條功率產(chǎn)線將進(jìn)入量產(chǎn)，但根據(jù)集邦咨詢預(yù)計(jì)，2019年前三季度功率分立器件產(chǎn)品缺貨情況恐難有明顯好轉(zhuǎn)，多家廠商的產(chǎn)品價(jià)格預(yù)期仍將上漲。從廠商的技術(shù)發(fā)展來看，SiC MOSFET有望進(jìn)一步提高在車用領(lǐng)域?qū)杌鵌GBT的替代率，硅基IGBT則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續(xù)發(fā)展。