ASML將中斷EUV Pellicle（光罩防塵薄膜）技術(shù)的研發(fā)，并將該技術(shù)轉(zhuǎn)讓與日本。而韓國(guó)國(guó)內(nèi)Blank光罩廠商SNS Tech也正在進(jìn)行此技術(shù)開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)后續(xù)將會(huì)有日韓主導(dǎo)權(quán)之爭(zhēng)。

6月3日根據(jù)業(yè)界資訊，日本三井化學(xué)與荷蘭曝光機(jī)廠商ASML簽訂EUV Pellicle技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議。三井化學(xué)計(jì)劃明年第二季度前在日本竣工EUV Pellicle工廠，并從2021年二季度開(kāi)始稼動(dòng)產(chǎn)線。此次的技轉(zhuǎn)并非是100%轉(zhuǎn)讓，而是按序轉(zhuǎn)讓出開(kāi)發(fā)數(shù)年的EUV Pellicle技術(shù)，并在三井化學(xué)量產(chǎn)后開(kāi)始收取專利費(fèi)。

三井化學(xué)半導(dǎo)體制程光罩防塵薄膜（Pellicle） （圖片來(lái)源：etnews）

半導(dǎo)體曝光制程是將繪制Pattern（圖案）的光罩進(jìn)行曝光，在晶圓上反復(fù)進(jìn)行繪制的過(guò)程。將縮小并繪制在光罩的圖案復(fù)制到晶圓上，過(guò)程中光罩受到污染時(shí)不良率會(huì)急劇上升。

Pellicle就是在光罩上起保護(hù)作用的薄膜，既可防止光罩受到污染，減少不良Pattern并可以提升光罩使用時(shí)間。而隨著新的半導(dǎo)體細(xì)微EUV制程的開(kāi)發(fā)，Pellicle也需要隨之改良。原有曝光技術(shù)基本是采用光源穿透方式，但EUV制程的光源易被吸收，所以才用的是反射式，Pellicle也需要對(duì)應(yīng)的新技術(shù)。但截止目前市場(chǎng)上暫無(wú)可以滿足量產(chǎn)條件的EUV Pellicle。

三星電子的部分AP芯片采用EUV制程，但只有光罩，并無(wú)Pellicle。而EUV光罩費(fèi)用高達(dá)5億韓幣（約合290萬(wàn)人民幣），更換光罩的負(fù)擔(dān)非常大。

業(yè)界人士表示：無(wú)Pellicle的光罩雖生產(chǎn)速度有所提升，但不良發(fā)生比率會(huì)上升。采用Pellicle時(shí)制程速度的確會(huì)受影響，但可以大大減少不良比率。所以EUV Pellicle技術(shù)難度雖高，但卻是必不可少的。

EUV曝光機(jī)龍頭企業(yè)ASML聯(lián)手加拿大Teledyne耗費(fèi)數(shù)年時(shí)間研發(fā)EUV Pellicle。但業(yè)界推測(cè)開(kāi)發(fā)出滿足90%以上穿透率的EUV技術(shù)難度較高，再加上ASML更傾向于專注EUV設(shè)備開(kāi)發(fā)，所以才會(huì)決定將技術(shù)轉(zhuǎn)讓給三井化學(xué)。

韓國(guó)企業(yè)SNS Tech也是聯(lián)手漢陽(yáng)大學(xué)研發(fā)EUV Pellicle技術(shù)。目標(biāo)采用單晶硅和氮化硅等新材料制作出可滿足88%以上穿透率的EUV Pellicle。而三井化學(xué)目標(biāo)采用多晶硅材料方式早日實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)以搶占市場(chǎng)先機(jī)。

專家認(rèn)為兩家企業(yè)的良率均在30%左右，技術(shù)尚未成熟。漢陽(yáng)大學(xué)Ann Jinho教授表示就算考慮后續(xù)的降價(jià)趨勢(shì)，EUV Pellicle價(jià)格為1億韓幣（約合58萬(wàn)人民幣）左右，假設(shè)一星期更換一次就是每年500億韓幣（約合2.9億人民幣）規(guī)模的市場(chǎng)。