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3nm晶體管!中國芯片領(lǐng)域研究又有新突破

kus1_iawbs2016 ? 來源:YXQ ? 2019-06-13 16:10 ? 次閱讀
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據(jù)香港《南華早報(bào)》網(wǎng)站5月27日報(bào)道,現(xiàn)如今,市場上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專家殷華湘說,他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度,在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個這種晶體管。

殷華湘說,晶體管變得越小,芯片上就能安裝越多的晶體管,這會讓處理器的性能顯著提升。晶體管是處理器的基本部件。殷華湘說,用3納米晶體管制造的處理器將會增加計(jì)算速度,并降低能耗。比如一位智能手機(jī)用戶可以整天玩需要大量計(jì)算能力的游戲,卻不需要為電池重新充電。

殷華湘說,他的團(tuán)隊(duì)還必須克服一些重大障礙。他們的研究成果本月部分發(fā)表在同行評議雜志《電氣電子工程師協(xié)會電子器件通訊》上。其中一個障礙是“波爾茲曼暴政”。路德維?!げ柶澛?9世紀(jì)的奧地利物理學(xué)家?!安柶澛┱泵枋龅氖怯嘘P(guān)電子在一個空間中的分布問題。對芯片研發(fā)者來說,這意味著隨著更多較小的晶體管安裝到芯片上,晶體管所需電流產(chǎn)生的熱量將燒毀芯片。

報(bào)道稱,物理學(xué)家已經(jīng)為這個問題提供了解決辦法。殷華湘說,他的團(tuán)隊(duì)使用一種稱為“負(fù)電容”的方法,這樣他們能用理論上所需最小電量的一半電量來為晶體管提供電力。這種晶體管實(shí)現(xiàn)商業(yè)應(yīng)用可能要花幾年時(shí)間。該團(tuán)隊(duì)正在進(jìn)行材料和質(zhì)量控制方面的工作。

殷華湘說:“這是我們工作中最激動人心的部分。這不僅是實(shí)驗(yàn)室中的又一項(xiàng)新發(fā)現(xiàn)。它有著實(shí)際應(yīng)用的巨大潛力。而我們擁有專利?!?/span>

報(bào)道稱,殷華湘說,這項(xiàng)突破將讓中國“在芯片研發(fā)的前沿同世界頭號角色進(jìn)行正面競爭”。他說:“在過去,我們看著其他人競爭?,F(xiàn)在,我們在同其他人競爭?!?/strong>

據(jù)報(bào)道,中國還在研發(fā)一種原子大?。?.5納米)的晶體管,而其他國家已經(jīng)加入將3納米晶體管投入市場的競賽。

韓國三星公司說,它計(jì)劃到明年上半年完成3納米晶體管的研發(fā)。三星說,同7納米技術(shù)相比,用它的3納米晶體管制造的處理器只需用一半的電力,性能卻會提高35%。三星沒有說它預(yù)計(jì)這些芯片將于何時(shí)投產(chǎn)。


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原文標(biāo)題:中國芯片領(lǐng)域研究又有新突破!

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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