6月13日消息，據(jù)日經(jīng)新聞引述未具名消息人士稱，長鑫存儲已經(jīng)重新設(shè)計DRAM芯片，以盡量減少對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。

該消息人士表示，長鑫存儲還無法完全消除威脅，其生產(chǎn)中依然會使用到美國的半導(dǎo)體設(shè)備(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，但重新設(shè)計能夠降低威脅，避免觸及美國的知識產(chǎn)權(quán)。

長鑫存儲董事長兼CEO朱一明去年10月曾前往歐洲，與歐洲最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商ASML商談合作，并訪問了比利時的IMEC，這是一家專注于納米電子和數(shù)字技術(shù)的開創(chuàng)性研究機構(gòu)。由此可見，長鑫正在尋求美國以外的供應(yīng)商的支持。

長鑫存儲是在合肥市政府和兆易創(chuàng)新共同推動下成立的，整個項目預(yù)計總投資超過72億美元。消息人士指出，長鑫最初每月將生產(chǎn)約10,000片晶圓，雖然需要經(jīng)歷某種學(xué)習(xí)曲線，但是按照計劃，到2019年年底，長鑫存儲產(chǎn)能將達(dá)到2萬片/月。

根據(jù)長鑫存儲去年透露的DRAM項目5年規(guī)劃，將在2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能達(dá)到2萬片/月。從2020年開始，開始規(guī)劃二廠，2021年完成17nm研發(fā)。

CINNO分析師Sean Yang指出，與全球130萬片DRAM 硅晶圓的月產(chǎn)量相比，長鑫的產(chǎn)能仍然較小，但對于目前完全無法自制DRAM的中國大陸來說，卻是一大突破。

長鑫存儲DRAM技術(shù)來源于奇夢達(dá)，之后通過與國際大廠合作，持續(xù)投入研發(fā)超過25億美元，并不斷完善自身研發(fā)技術(shù)，目前已累積有1萬6千個專利申請。

奇夢達(dá)是從英飛凌拆分出來的知名DRAM大廠，但在2009年1月，奇夢達(dá)向法院申請破產(chǎn)保護。奇夢達(dá)慕尼黑研發(fā)中心和中國研發(fā)中心（位于西安高新區(qū)）是較大的兩大研發(fā)中心。