近日，青島信網(wǎng)報道指出，截止到2019年5月，項目管理和技術(shù)團隊已簽約報到管理及技術(shù)人員330人，其中博士20余人，碩士60余人。項目工程8寸廠筏板基礎(chǔ)施工完成90%;12寸廠筏板基礎(chǔ)施工完成93%;測試樓1首層結(jié)構(gòu)完成90%;測試樓2四層結(jié)構(gòu)完成90%;行政中心三層結(jié)構(gòu)完成60%。已訂購87臺二手生產(chǎn)設(shè)備，其中60臺已完成翻修。

芯恩（青島）集成電路項目位于青島國際經(jīng)濟合作區(qū)，一、二期總投資約188億元，其中一期總投資約81億元，占地約373畝，總建筑面積約35萬平方米，主要從事12英寸芯片、8英寸芯片、光掩膜版等集成電路產(chǎn)品的量產(chǎn)，滿產(chǎn)后可實現(xiàn)年均產(chǎn)值約46.1億元，凈利潤約9.7億元。

該項目創(chuàng)新性地提出了CIDM商業(yè)模式。C代表了Commune或Communal，就是共有式的共享，即由半導(dǎo)體集成電路設(shè)計企業(yè)、封測企業(yè)、原材料供應(yīng)企業(yè)、終端產(chǎn)品需求企業(yè)、設(shè)備制造企業(yè)共同聯(lián)合投資打造一個集成電路制造企業(yè)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游多環(huán)節(jié)、多領(lǐng)域企業(yè)協(xié)同、一致、聯(lián)合生產(chǎn)，企業(yè)產(chǎn)品互補、分擔(dān)投資、共享資源、共擔(dān)分險，大大增強了產(chǎn)業(yè)內(nèi)部協(xié)同創(chuàng)新和制造的能力。

在CIDM模式發(fā)展過程中，核心團隊將依托其已有的渠道資源和合作關(guān)系，逐步引進相關(guān)聯(lián)上下游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)公司，逐步打造北方最具規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

據(jù)了解，該項目由張汝京博士領(lǐng)銜的中國頂級微納電子研發(fā)制造近50人的核心團隊組成，他們是來自中國大陸、中國***、日本、美國、韓國及歐洲等多個國家和地區(qū)的資深專家和各類專業(yè)人士，均為半導(dǎo)體行業(yè)的一流技術(shù)和管理人才，有著多年先進半導(dǎo)體集成電路及功率器件設(shè)計、研發(fā)與制造實戰(zhàn)經(jīng)驗，團隊成員已擁有1000余項海內(nèi)外專利，其中包括很多半導(dǎo)體集成電路行業(yè)基礎(chǔ)核心專利。

芯恩（青島）集成電路項目于2018年3月30日簽署框架協(xié)議;2018年12月13日，簽署投資合作協(xié)議;2018年4月18日，項目公司完成注冊，注冊名稱為芯恩（青島）集成電路有限公司;2018年4月6日完成項目立項備案、4月25日完成首筆資金注入。

項目吸引了芯片設(shè)計、材料、設(shè)備、封測等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)來周邊落戶，目前與多家半導(dǎo)體公司簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。已與意法半導(dǎo)體公司簽訂技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議以及投資協(xié)議，上下游協(xié)同發(fā)展產(chǎn)業(yè)集群態(tài)勢開始形成。

中國***及大陸的芯片設(shè)計公司已經(jīng)簽署持股同意書，成為芯恩的CIDM合作伙伴。整合設(shè)計公司的芯片產(chǎn)品資源以及成功經(jīng)驗，將為中國集成電路發(fā)展和進步，提供戰(zhàn)略渠道和經(jīng)濟生命共同體的基石。

目前，芯恩（青島）集成電路項目已確定了特色功率芯片和高端微控制器技術(shù)路線。已規(guī)劃12英寸廠從40納米邏輯產(chǎn)品入手逐漸推進到28納米的產(chǎn)品線，通過對前段工藝浸潤式光刻工藝，自對準金屬硅化物，嵌入式SiGe 源漏區(qū)工藝開發(fā);后段工藝超低介電材料（ULK）層間介質(zhì)層工藝整合，以及28納米的高介電層金屬閘級（HiKMetal Gate），完成器件性能的確認。

項目將開發(fā)12英寸40nm-28nm集成電路芯片產(chǎn)品工藝技術(shù)，除了意法半導(dǎo)體技術(shù)授權(quán)40nm的標準邏輯工藝以外，同時開發(fā)閃存Embedded Flash的尖端工藝，用以生產(chǎn)微處理器MCU芯片。還將開發(fā)8英寸180nm-110nm集成電路芯片產(chǎn)品工藝技術(shù)，包括數(shù)字模擬混合（BCD、DLP）、高端IGBT等半導(dǎo)體功率器件，其中IGBT的逆導(dǎo)型IGBT （Reverse-Conducting IGBT）的高端及超薄（小于50微米的硅片厚度）的工藝技術(shù)是中國首創(chuàng)。RC-IGBT是將IGBT單元和FWD（Free Wheeling Diode）單元交替配置而成。

光掩膜版使用國內(nèi)最先進14納米技術(shù)。據(jù)了解，芯恩（青島）集成電路項目正在建設(shè)特色型工藝的8英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內(nèi)最先進數(shù)模混合工藝的40納米12英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內(nèi)最先進14納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片32位MCU集成電路設(shè)計團隊。

青島國際集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)則包括青島國際半導(dǎo)體制造基地、青島國際半導(dǎo)體創(chuàng)新中心兩個片區(qū)，擬打造集生產(chǎn)、生活、生態(tài)于一體的國際高端產(chǎn)城融合芯片園區(qū)。其中制造基地包括集成電路制造工廠、光掩模片廠、空白掩?；鍙S、半導(dǎo)體設(shè)備及修理廠、光刻膠廠、碳化硅/氮化鎵生產(chǎn)廠、封測廠等內(nèi)容;創(chuàng)新中心包括半導(dǎo)體設(shè)計產(chǎn)業(yè)園、微納技術(shù)研究院、“雙創(chuàng)”基地、國際社區(qū)、國際學(xué)校等內(nèi)容。