關于Vishay DG增強模擬開關IC性能分析
Vishay DG 增強模擬開關 IC 具有 16V 擴展工作電壓范圍和增強的漏電流限制。 DG 增強 IC 還具有更低的開關導通電阻以及整體降低的功耗。 該 IC 提供增強的堅固性，同時具有更高的閉鎖電流和更強的 ESD 能力。 DG 增強系列采用高密度工藝制造，不僅提高了制造能力，還縮短了交付時間。 該 IC 支持諸如工業(yè)、儀器以及醫(yī)療等市場的模擬開關產(chǎn)品。
特性
從目前的 12V 和 ±6V 工作電壓分別擴展到 16V 單電源電壓和 ±8V 雙電源電壓
開關導通電阻更低，容差得到改進
開關漏電限制得到改進，降低了 50%
寄生電容更低，降低了約 30%
功耗降低約 98%，從 0.2mA 降低到 3.5uA (V+ = 12V)
閉鎖電流 從 200mA 提高到 300mA
ESD/HBM 從 2KV 增強到 2.5KV
應用
自動檢測設備
過程控制和自動化
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
儀表和儀器
醫(yī)療和保健系統(tǒng)
通信系統(tǒng)
繼電器替代品
電池供電系統(tǒng)
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