近年來(lái)，由于氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業(yè)大量采用。根據(jù)兩個(gè)主要應(yīng)用：電信基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防，推動(dòng)整個(gè)氮化鎵射頻市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2024年成長(zhǎng)至20億美元，產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement(Yole)的研究報(bào)告指出，過(guò)去十年，全球電信基礎(chǔ)設(shè)施投資保持穩(wěn)定，在該市場(chǎng)中，更高頻率的趨勢(shì)為5G網(wǎng)路中頻率低于6GHz的PA中的RF GaN提供了一個(gè)最佳發(fā)展的動(dòng)力。

自從20年前第一批商用產(chǎn)品出現(xiàn)以來(lái)，GaN已成為射頻功率應(yīng)用中LDMOS和GaAs的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并以更低的成本不斷提高性能和可靠性。第一個(gè)GaN-on-SiC和GaN-on-Si元件幾乎同時(shí)出現(xiàn)，但GaN-on-SiC在技術(shù)上已經(jīng)變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導(dǎo)GaN射頻市場(chǎng)，已滲透到4G LTE無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，預(yù)計(jì)將部署在5G 6GHz以下的RRH架構(gòu)中。然而，與此同時(shí)，在經(jīng)濟(jì)高效的LDMOS技術(shù)方面也取得了顯著進(jìn)展，這可能會(huì)挑戰(zhàn)5G sub-6Ghz主動(dòng)式天線和大規(guī)模MIMO部署中的GaN解決方案。

GaN市場(chǎng)整體規(guī)模再2018年約6.45億美元，無(wú)線通訊應(yīng)用約3.04億美元、軍事約2.7億美元，航太應(yīng)用3700萬(wàn)美元為三大主要應(yīng)用，2024年整體市場(chǎng)將成長(zhǎng)至200.13億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)21%，無(wú)線通訊應(yīng)用規(guī)模達(dá)7.52億美元，軍事應(yīng)用為9.77億美元，值得注意的是RF Energy將從200萬(wàn)美元成長(zhǎng)至1.04億美元。