根據(jù)最新發(fā)布的存儲(chǔ)器價(jià)格報(bào)告指出，受到第三季智能型手機(jī)備貨需求不如預(yù)期以及海外市場(chǎng)訂單大幅萎縮的影響，再加上服務(wù)器市場(chǎng)受到中美貿(mào)易摩擦導(dǎo)致供應(yīng)鏈混亂，整體存儲(chǔ)器終端需求也不如預(yù)期。

DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。

NAND Flash跌幅較為收斂，主要原因在于先前廠商減少產(chǎn)能主要集中在NAND Flash，包含東芝、西數(shù)、海力士和美光；再加上經(jīng)過幾個(gè)季度的跌價(jià)，各家NAND Flash廠商營(yíng)業(yè)利益率已低到3%以下。

DRAM部分則是還有跌價(jià)的空間，因此價(jià)格跌幅明顯高于NAND Flash，六月份DRAM價(jià)格再度較五月份滑落，幅度約8-9%。累計(jì)第二季度整體DRAM平均價(jià)格較第一季減少28%，跌幅高于預(yù)期，而展望下半年第三季度與第四季度，我們認(rèn)為兩個(gè)季度的價(jià)格跌幅為10-15%不等，以反映下半年旺季不旺的半導(dǎo)體行業(yè)情況。

閃存方面，由于東芝(Toshiba Memory)在本月15日發(fā)生廠房跳電影響，導(dǎo)致停工將近七天后才陸續(xù)緩步復(fù)工。除了在線晶圓(WIP, wafer-in-process)受損情況需仔細(xì)檢查外，設(shè)備機(jī)臺(tái)因?yàn)橥ｋ妼?dǎo)致潛在晶圓與設(shè)備損傷的影響也是后續(xù)必須關(guān)注的焦點(diǎn)。而東芝官方釋出預(yù)期七月中旬才能夠完全恢復(fù)正常生產(chǎn)的消息，讓現(xiàn)階段其合作伙伴西數(shù)電子率先公告自七月起全面調(diào)漲閃存產(chǎn)品價(jià)格約10-15%不等的幅度，讓后續(xù)原本慘淡的閃存市場(chǎng)增添柴火，我們初步預(yù)估本次跳電將影響東芝/西數(shù)陣營(yíng)大約一個(gè)月的閃存產(chǎn)能。然而考慮到現(xiàn)階段從渠道端、通路商一直到閃存供貨商的庫存水位都維持在相當(dāng)高的情況下，后續(xù)第三季閃存價(jià)格走勢(shì)將視下半年新手機(jī)訂單情況以及東芝復(fù)工的進(jìn)度，但可以確定的是短時(shí)間內(nèi)七八月份閃存價(jià)格將出現(xiàn)上漲的動(dòng)力，對(duì)于閃存供貨商來說也是一陣救命及時(shí)雨。