動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-07-30 10:09
超快恢復(fù)二極管選型不當(dāng)導(dǎo)致效率降低的分析與應(yīng)對(duì)
在高頻、高效電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，辰達(dá)半導(dǎo)體超快恢復(fù)二極管憑借其極短的反向恢復(fù)時(shí)間（Trr）和低反向電流損耗，成為開(kāi)關(guān)電源、逆變器、功率因數(shù)校正（PFC）等場(chǎng)合中的重要器件。然而，工程實(shí)踐中常見(jiàn)因選型不當(dāng)而造成的系統(tǒng)效率下降甚至器件失效問(wèn)題，值得引起重視。本文將圍繞超快恢復(fù)二極管選型失誤引發(fā)的效率降低問(wèn)題，結(jié)合實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)加以解析，并給出應(yīng)對(duì)建議。一、效率下降的根本原因 -
發(fā)布了文章 2025-07-24 09:46
快恢復(fù)二極管串并聯(lián)的工程實(shí)戰(zhàn)案例分析
在功率電子設(shè)計(jì)中，快恢復(fù)二極管憑借其優(yōu)異的反向恢復(fù)特性，廣泛應(yīng)用于高頻整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)車(chē)控制器、開(kāi)關(guān)電源等場(chǎng)景。在大功率、高電壓或高電流的應(yīng)用中，單顆快恢復(fù)二極管可能無(wú)法滿足工作需求，因此工程師常采用串聯(lián)或并聯(lián)方式進(jìn)行擴(kuò)展。然而，串并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡(jiǎn)單的堆疊組合，實(shí)際應(yīng)用中需面臨諸如均壓、均流、熱分布等挑戰(zhàn)。本文將結(jié)合工程案例，探討快恢復(fù)二極管串并聯(lián)的設(shè)計(jì)要734瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-23 09:56
快恢復(fù)二極管串聯(lián)與并聯(lián)設(shè)計(jì)：均壓均流與應(yīng)用挑戰(zhàn)
快恢復(fù)二極管憑借較短的反向恢復(fù)時(shí)間和較低的開(kāi)關(guān)損耗，在高頻整流、PFC電路和逆變器等應(yīng)用中廣泛使用。隨著電源系統(tǒng)的功率密度不斷提升，單顆二極管的耐壓或電流能力往往不足，這就需要通過(guò)串聯(lián)或并聯(lián)的方式實(shí)現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而，F(xiàn)RD在串并聯(lián)應(yīng)用中會(huì)面臨均壓、均流以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應(yīng)用：提高耐壓能力問(wèn)題背景單顆快恢復(fù)二極管的反向耐壓（VRRM）通常1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-17 10:57
如何通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試驗(yàn)證整流二極管在極端環(huán)境下的可靠性？
為確保整流二極管在高溫、高濕、振動(dòng)、沖擊等極端環(huán)境下的可靠性，需通過(guò)一系列標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)驗(yàn)測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證。以下結(jié)合國(guó)際測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與工程實(shí)踐，系統(tǒng)介紹測(cè)試方法及實(shí)施要點(diǎn)：??一、環(huán)境應(yīng)力測(cè)試????1.高溫存儲(chǔ)測(cè)試（HTSL）????目的??：評(píng)估高溫對(duì)材料老化的影響。??測(cè)試條件??：溫度：150℃（硅器件）或175℃（SiC器件）時(shí)長(zhǎng)：168–1000小時(shí)（不通電） -
發(fā)布了文章 2025-07-16 10:51
在高溫或高振動(dòng)環(huán)境下，整流二極管的降額曲線應(yīng)該如何調(diào)整？
在高溫或高振動(dòng)環(huán)境下，整流二極管的降額曲線需結(jié)合熱力學(xué)和機(jī)械應(yīng)力進(jìn)行綜合調(diào)整，以確保長(zhǎng)期可靠性。以下是具體調(diào)整策略及設(shè)計(jì)要點(diǎn)：一、高溫環(huán)境下的降額曲線調(diào)整1.溫度對(duì)電流能力的限制整流二極管的額定電流隨環(huán)境溫度升高而顯著下降，需遵循“溫度-電流降額曲線”：降額原理：結(jié)溫（Tj）是核心限制參數(shù)。硅二極管最高結(jié)溫通常為125℃~175℃，需滿足：Tj=Ta+(IF -
發(fā)布了文章 2025-07-08 09:43
淺談辰達(dá)MOSFET在USB PD快充電源中的應(yīng)用挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)
在USBPD快充電源設(shè)計(jì)中，MOSFET作為功率控制與轉(zhuǎn)換的核心器件，發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進(jìn)，對(duì)MOSFET的性能提出了更嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。本文將從應(yīng)用挑戰(zhàn)出發(fā)，結(jié)合FAE工程實(shí)踐，分析MOSFET在USBPD快充中的關(guān)鍵設(shè)計(jì)要求與應(yīng)對(duì)策略。一、應(yīng)用背景：MOSFET在USBPD快充中的位置USBPD（PowerDelivery -
發(fā)布了文章 2025-07-07 10:23
MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶(hù)理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)分析MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比，特別是在中低壓功率系統(tǒng)中的權(quán)衡。一、MOSFET與IGBT的基本原理MOSFET工作原理：MO2.8k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-04 10:03
并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南：均流、寄生參數(shù)與熱平衡
在現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)中，MOSFET并聯(lián)技術(shù)廣泛應(yīng)用于要求大電流承載能力的電路中，如電動(dòng)汽車(chē)、電源供應(yīng)、功率放大器等。通過(guò)并聯(lián)多個(gè)MOSFET，可以大幅提高電路的電流處理能力、降低導(dǎo)通損耗，并增強(qiáng)系統(tǒng)的整體可靠性。然而，MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡(jiǎn)單的“多加幾個(gè)”過(guò)程，必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，優(yōu)化并 -
發(fā)布了文章 2025-07-03 09:42
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發(fā)布了文章 2025-07-02 10:04
辰達(dá)MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用與優(yōu)化策略
一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用開(kāi)關(guān)功能DC-DC變換器的核心工作原理是通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件，在此過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用。MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率決定了變換器的工作頻率，同時(shí)它的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和門(mén)極電荷（Qg）等特性直接影響變換器的效率和響應(yīng)時(shí)間。開(kāi)關(guān)損耗控制在D
