動態(tài)
-
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-09 15:05
FLM5964-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET
產(chǎn)品型號:FLM5964-4F 廠家: Sumitomo Electric Device Inno 型號:FLM5964-4F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管99瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-09 14:58
FLM3135-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET
產(chǎn)品型號:FLM3135-18F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM3135-18F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管143瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-08 20:54
FLM1314-8F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET
產(chǎn)品型號:FLM1314-8F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM1314-8F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管163瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-08 20:45
FLM3135-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET
產(chǎn)品型號:FLM3135-4F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM3135-4F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管105瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-08 20:37
FLM3135-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET
產(chǎn)品型號:FLM3135-8F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號: FLM3135-8F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管150瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-08 20:31
FLM5972-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET
產(chǎn)品型號:FLM5972-12F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM5972-12F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管139瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-08 20:25
FLM5972-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET
產(chǎn)品型號:FLM5972-4F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM5972-4F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管137瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-08 20:19
FLM5053-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET
產(chǎn)品型號:FLM5053-4F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號: FLM5053-4F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管117瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-08 20:09
FLM5053-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET
產(chǎn)品型號:FLM5053-8F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM5053-8F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管126瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-08 20:03
SGNL015Z2K-RT1 DC–3.8GHz 高功率 GaN HEMT
產(chǎn)品型號:SGNL015Z2K-RT1 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SGNL015Z2K-RT1 名稱:GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管297瀏覽量