動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-28 16:47

  CMPA801B030F1 HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CMPA801B030F1 典型 PSAT：40 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-28 16:45

  CMPA801B030F HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CMPA801B030F 典型 PSAT：40 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-28 10:48

  CMPA2560025F-AMP HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2560025F-AMP 小信號(hào)增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作電壓高達(dá)： 28 V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-28 10:46

  CMPA2560025F HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2560025F 小信號(hào)增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作電壓高達(dá)： 28 V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-28 10:41

  CMPA2560025D HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2560025D 小信號(hào)增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作電壓高達(dá)： 28 V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-28 09:46

  CMPA2060035F1-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2060035F1-AMP 小信號(hào)增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓：高達(dá) 32 V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-28 09:44

  CMPA2060035F-AMP1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2060035F-AMP1 小信號(hào)增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓高達(dá)： 32 V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-28 09:42

  CMPA2060035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2060035F-AMP 小信號(hào)增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓高達(dá)： 32 V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-28 09:40

  CMPA2060035F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2060035F1 小信號(hào)增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓： 高達(dá)32 V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-28 09:38

  CMPA2060035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2060035F 小信號(hào)增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓高達(dá)： 32 V

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