動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:45

  從實(shí)驗(yàn)室到應(yīng)用：半金屬與單層半導(dǎo)體接觸電阻的創(chuàng)新解決方案

  

  金屬-半導(dǎo)體界面接觸電阻是制約半導(dǎo)體器件微縮化的關(guān)鍵問(wèn)題。傳統(tǒng)金屬（如Ni、Ti）與二維半導(dǎo)體接觸時(shí)，金屬誘導(dǎo)帶隙態(tài)（MIGS）導(dǎo)致費(fèi)米能級(jí)釘扎，形成肖特基勢(shì)壘?，F(xiàn)有策略（如重?fù)诫s或插入介電層）在二維材料中效果有限。本研究提出利用半金屬鉍（Bi）與單層過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔铮═MDs）接觸，借助Xfilm埃利TLM接觸電阻測(cè)試儀，結(jié)合半金屬（鉍，Bi）的獨(dú)特電子

  半導(dǎo)體 實(shí)驗(yàn)室 接觸電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:45

  基于四點(diǎn)探針和擴(kuò)展電阻模型的接觸電阻率快速表征方法

  

  接觸電阻率（ρc）是評(píng)估兩種材料接觸性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)的傳輸長(zhǎng)度法（TLM）等方法在提取金屬電極與c-Si基底之間的ρc時(shí)需要較多的制造和測(cè)量步驟。而四探針?lè)ㄒ蚱湎鄬?duì)簡(jiǎn)單的操作流程而備受關(guān)注，但其廣泛應(yīng)用受限于所需的3D模擬數(shù)據(jù)擬合過(guò)程。本文通過(guò)引入結(jié)合Xfilm埃利四探針?lè)阶鑳x與擴(kuò)展電阻模型（SRM）的方法快速準(zhǔn)確的提取ρc。四點(diǎn)探針?lè)ɑA(chǔ)/Xfilm四

  TLM 探針 接觸電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:45

  非局域四探針?lè)ǎ撼瑢?dǎo)薄膜顆粒度對(duì)電阻特性的影響機(jī)制解析

  

  技術(shù)支持：4009926602超導(dǎo)薄膜的微觀不均勻性（顆粒度）是影響其宏觀性能的關(guān)鍵因素。在接近臨界溫度（T??）時(shí)，傳統(tǒng)四探針?lè)ǔＳ^測(cè)到異常電阻峰，這一現(xiàn)象長(zhǎng)期被誤認(rèn)為材料本征特性。然而，研究表明，此類(lèi)異?？赡茉从诔瑢?dǎo)參數(shù)的局部差異（如T??和ΔT??的非均勻分布）導(dǎo)致的電流重分布效應(yīng)。本文通過(guò)構(gòu)建非局域四探針模型，結(jié)合實(shí)驗(yàn)與磁場(chǎng)調(diào)控，系統(tǒng)解析了電阻峰的物

  測(cè)量 電阻特性 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:45

  基于傳輸線(xiàn)法TLM與隔離層優(yōu)化的4H-SiC特定接觸電阻SCR精準(zhǔn)表征

  

  4H-碳化硅（4H-SiC）因其寬禁帶（3.26eV）、高熱導(dǎo)率（4.9W·cm?1·K?1）和高擊穿場(chǎng)強(qiáng)（2.5MV·cm?1），成為高溫、高功率電子器件的核心材料。然而，其歐姆接觸的精準(zhǔn)表征面臨關(guān)鍵挑戰(zhàn)：商用襯底的高摻雜特性導(dǎo)致電流擴(kuò)散至襯底深層，使得傳統(tǒng)傳輸線(xiàn)法（TLM）測(cè)得的特定接觸電阻（SCR）顯著偏離真實(shí)值。本研究結(jié)合Xfilm埃利TLM接觸電阻

  SCR SiC 接觸電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:45

  石墨烯量子霍爾態(tài)中三階非線(xiàn)性霍爾效應(yīng)的首次實(shí)驗(yàn)觀測(cè)與機(jī)制解析

  

  量子霍爾效應(yīng)（QHE）是二維電子系統(tǒng)在強(qiáng)磁場(chǎng)下的標(biāo)志性現(xiàn)象，其橫向電阻（Rxy）呈現(xiàn)量子化平臺(tái)（h/(νe2)），而縱向電阻（Rxx）趨于零。傳統(tǒng)研究集中于線(xiàn)性響應(yīng)，高階非線(xiàn)性響應(yīng)在量子霍爾態(tài)（QHS）中的存在性長(zhǎng)期未被探索。經(jīng)典與量子體系中線(xiàn)性霍爾效應(yīng)及非線(xiàn)性霍爾效應(yīng)的示意圖本研究基于霍爾效應(yīng)測(cè)試儀HMS-3000的高精度測(cè)量能力，結(jié)合諧波檢測(cè)技術(shù)，在單層

  測(cè)量 電阻 霍爾效應(yīng)

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  消除接觸電阻的四探針改進(jìn)方法：精確測(cè)量傳感器薄膜方塊電阻和電阻率

  

  方塊電阻是薄膜材料的核心特性之一，尤其在傳感器設(shè)計(jì)中，不同條件下的方塊電阻變化是感知測(cè)量的基礎(chǔ)。但薄膜材料與金屬電極之間的接觸電阻會(huì)顯著影響測(cè)量精度，甚至導(dǎo)致非線(xiàn)性肖特基勢(shì)壘的形成，進(jìn)一步降低傳感器性能。傳統(tǒng)兩端子測(cè)量方法因接觸電阻難以控制或減小，導(dǎo)致系統(tǒng)誤差不可忽視。本文提出一種四探針改進(jìn)的四端子方法，通過(guò)多次電阻測(cè)量和簡(jiǎn)單代數(shù)計(jì)算并結(jié)合Xfilm埃利四探

  傳感器 接觸電阻 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  非接觸式發(fā)射極片電阻測(cè)量：與四探針?lè)ǖ膶?duì)比驗(yàn)證

  

  發(fā)射極片電阻（Remitter）是硅太陽(yáng)能電池性能的核心參數(shù)之一，直接影響串聯(lián)電阻與填充因子。傳統(tǒng)方法依賴(lài)物理接觸或受體電阻率干擾，難以滿(mǎn)足在線(xiàn)檢測(cè)需求。本文提出一種結(jié)合渦流電導(dǎo)與光致發(fā)光（PL）成像的非接觸式測(cè)量技術(shù)，通過(guò)分離Remitter與體電阻（Rbulk），實(shí)現(xiàn)高精度、無(wú)損檢測(cè)。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明，該方法與基于四點(diǎn)探針?lè)ǎ?pp）的Xfilm埃利在線(xiàn)四探

  電阻測(cè)溫 電阻率

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  面向硅基產(chǎn)線(xiàn)：二維半導(dǎo)體接觸電阻的性能優(yōu)化

  

  隨著硅基集成電路進(jìn)入后摩爾時(shí)代，二維過(guò)渡金屬硫化物（TMDCs，如MoS?、WS?）憑借原子級(jí)厚度、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和無(wú)懸掛鍵界面，成為下一代晶體管溝道材料的理想選擇。然而，金屬電極與二維半導(dǎo)體間的接觸問(wèn)題一直是制約其發(fā)展的核心障礙——接觸電阻過(guò)高（>800Ω·μm）、費(fèi)米能級(jí)釘扎（FLP）效應(yīng)嚴(yán)重、納米尺度接觸穩(wěn)定性不足，難以滿(mǎn)足先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)需求（IRDS標(biāo)

  半導(dǎo)體 接觸電阻 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  石墨烯超低方阻的實(shí)現(xiàn) | 霍爾效應(yīng)模型驗(yàn)證

  

  石墨烯因其高載流子遷移率（~200,000cm2/V·s）、低方阻和高透光性（~97.7%），在電子應(yīng)用領(lǐng)域備受關(guān)注。然而，單層石墨烯的電學(xué)性能受限于表面摻雜效應(yīng)（如PMMA殘留或環(huán)境吸附物引起的p型摻雜）和襯底散射效應(yīng)。多層石墨烯（MLG）通過(guò)增加層數(shù)可提升機(jī)械穩(wěn)定性和電學(xué)性能，但其層間界面性質(zhì)（如載流子密度、遷移率分布）顯著影響整體性能。傳統(tǒng)理論認(rèn)為，M

  石墨烯 霍爾效應(yīng)

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  NiCr薄膜電阻優(yōu)化：利用鋁夾層實(shí)現(xiàn)高方塊電阻和低溫度電阻系數(shù)

  

  隨著系統(tǒng)集成封裝（SIP）技術(shù)發(fā)展，嵌入式薄膜電阻需同時(shí)滿(mǎn)足高方塊電阻（>100Ω/sq）和近零電阻溫度系數(shù)（│TCR│當(dāng)tAl>7.5nm時(shí)，Al層成為主要導(dǎo)電通道，導(dǎo)致Rs下降。電阻溫度系數(shù)TCR調(diào)控：Al夾層使TCR隨tAl增加呈現(xiàn)“先降后升”趨勢(shì)，在tAl=7.5nm時(shí)達(dá)到最低值-6.61ppm/K（tNiCr=10nm，400℃退火）。退火工藝的界

  溫度電阻率 薄膜電阻

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