英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 功率半導(dǎo)體讓生活更美好2024-09-20 08:06

  

  功率半導(dǎo)體讓生活更美好

  功率半導(dǎo)體 電力電子 電機(jī)驅(qū)動 1160瀏覽量

• 新品 | 英飛凌無芯變壓器固態(tài)隔離器交流固態(tài)開關(guān)評估板2024-09-19 08:03

  

  新品英飛凌無芯變壓器固態(tài)隔離器交流固態(tài)開關(guān)評估板英飛凌固態(tài)隔離器高壓側(cè)不需要輔助電源供電就可以驅(qū)動功率晶體管，如CoolMOS、OptiMOS或TRENCHSTOPIGBT。英飛凌SSI系列提供快速開通/關(guān)斷、過流保護(hù)和過溫保護(hù)等控制功能，驅(qū)動功率半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)固態(tài)繼電器。產(chǎn)品特點(diǎn)評估板用于8引腳固態(tài)隔離器的快速評估和設(shè)計(jì)評估板為交流固態(tài)開關(guān)配置快速開通過流/過

  英飛凌 評估板 隔離器 2368瀏覽量

• 英飛凌助力奇點(diǎn)能源，打造高效可靠的工商業(yè)儲能解決方案2024-09-14 08:04

  

  近日，英飛凌宣布攜手西安奇點(diǎn)能源股份有限公司，將為其提供業(yè)界領(lǐng)先的1200V450AEconoDUAL3功率模塊，用于215kW工商業(yè)及源網(wǎng)側(cè)eblock儲能應(yīng)用，依托于英飛凌TRENCHSTOPIGBT7創(chuàng)新的產(chǎn)品，助力奇點(diǎn)能源打造高可靠、高效率的儲能PCS系統(tǒng)。英飛凌推出的EconoDUAL3中功率IGBT模塊封裝，自面世以來，迅速贏得業(yè)界認(rèn)可，成為市場

  IGBT 儲能 英飛凌 1361瀏覽量

• 英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革2024-09-13 08:04

  

  ●憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù)，英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●300mmGaN的成本將逐漸與硅的成本持平英飛凌科技股份公司今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)

  半導(dǎo)體 氮化鎵 英飛凌 1039瀏覽量

• 直播預(yù)告 | 電氣隔離新勢力——英飛凌新型SSI系列固態(tài)隔離器的創(chuàng)新技術(shù)與應(yīng)用設(shè)計(jì)2024-09-12 08:04

  

  英飛凌最新推出的SSI系列固態(tài)隔離器面向交流和直流固態(tài)繼電器、可編程邏輯控制器、智能樓宇和家庭自動化系統(tǒng)（溫控器、照明、供暖控制）、工業(yè)自動化和控制、儀器設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、配電柜等等多個(gè)領(lǐng)域。其創(chuàng)新技術(shù)在兼顧可靠性和穩(wěn)定性的同時(shí)，并實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)簡化和成本降低。通過研討會，您將了解：技術(shù)革新亮點(diǎn)：詳細(xì)介紹英飛凌最新固態(tài)隔離器的核心技術(shù)優(yōu)勢，以及在快速開通和關(guān)

  電氣 英飛凌 隔離器 810瀏覽量

• 新品 | 6500V、1000A 單開關(guān) IGBT 模塊 FZ1000R65KE42024-09-10 08:03

  

  新品6500V、1000A單開關(guān)IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV單開關(guān)IGBT模塊采用IGBT4溝槽柵場終止技術(shù)，是HVDC-VSC、牽引和工業(yè)應(yīng)用的最佳解決方案。產(chǎn)品特點(diǎn)低VCEsat碳化硅鋁基板存儲溫度低至-55°CCTI600應(yīng)用價(jià)值實(shí)現(xiàn)緊湊型逆變器設(shè)計(jì)低功率損耗標(biāo)準(zhǔn)化封裝競爭優(yōu)勢高性能堅(jiān)固可靠低功率損耗應(yīng)用領(lǐng)

  IGBT 模塊 逆變器 1389瀏覽量

• 新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動器2024-09-05 08:03

  

  新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機(jī)的驅(qū)動器應(yīng)用而開發(fā)的升級版逆變器和柵極驅(qū)動器板。設(shè)計(jì)用于評估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關(guān)。驅(qū)動電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI

  MOSFET 伺服電機(jī) 驅(qū)動器 1087瀏覽量

• 兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級研修班10月上海開班2024-09-04 08:02

  

  來源：內(nèi)容來自中國電源學(xué)會01組織機(jī)構(gòu)主辦單位：中國電源學(xué)會承辦單位：中國電源學(xué)會科普工作委員會、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨港電力電子研究院02培訓(xùn)時(shí)間地點(diǎn)2024年10月11-13日中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)上海海事大學(xué)物流工程學(xué)院03培訓(xùn)介紹培訓(xùn)內(nèi)容本課程旨在全面系統(tǒng)深入地介紹第三代功率半導(dǎo)體新技術(shù)的發(fā)展，重點(diǎn)講授碳

  半導(dǎo)體器件 氮化鎵 電力電子 1260瀏覽量

• 新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列2024-09-03 08:02

  

  新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹立了技術(shù)和性價(jià)比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌新一代硅基MOSFET技術(shù)，旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開關(guān)電源（SMPS）的CoolMOS7產(chǎn)品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa

  MOS MOSFET 英飛凌 1178瀏覽量

• 離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢2024-08-30 12:25

  

  *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲能正以其經(jīng)濟(jì)性，電網(wǎng)友好性等特點(diǎn)蓬勃發(fā)展，其中離網(wǎng)應(yīng)用場景下，不平衡負(fù)載帶載能力，諧波畸變度等都是其PCS的重要指標(biāo)。三相四橋臂（3P4L）變流器具有最強(qiáng)的不平衡負(fù)載能力，但對比三相三線（3P3W）系統(tǒng)，成本增加，諧波畸變度更高。SiCMOSFETs由于其優(yōu)越的材料特性與器件特性，相較IGBT可大幅提升開關(guān)

  MOSFET SiC 變流器 2271瀏覽量