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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺,包括工程師應(yīng)用知識和經(jīng)驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

  • iSSI系列固態(tài)隔離器2024-04-16 08:14

    新品iSSI系列固態(tài)隔離器新穎的固態(tài)隔離器系列帶集成式隔離型柵極驅(qū)動電源,以驅(qū)動MOS電壓驅(qū)動型功率晶體管,如CoolMOS,OptiMOS,TRENCHSTOPIGBT或CoolSiC。固態(tài)隔離器系列的驅(qū)動側(cè)不需要專用電源來驅(qū)動功率晶體管的柵極。并提供了先進(jìn)的控制功能,如快速開通和關(guān)斷柵極,過流保護(hù)和過溫保護(hù)功能,可輕松安全地為各種應(yīng)用設(shè)計固態(tài)繼電器。產(chǎn)品
  • 管腳兼容的驅(qū)動集成電路在哪里?2024-04-15 08:14

    功率半導(dǎo)體IGBT、MOSFET以及SiC、GaN等都離不開驅(qū)動集成電路,以實現(xiàn)驅(qū)動、保護(hù)和隔離……電力電子技術(shù)在發(fā)展,功率器件對驅(qū)動的要求越來越高,這推動著驅(qū)動技術(shù)和產(chǎn)品的發(fā)展。例如:英飛凌DSO-8寬體封裝工業(yè)級的產(chǎn)品,最大規(guī)格做到了18A2300V;在英飛凌驅(qū)動系列產(chǎn)品中,還有一些嶄新的技術(shù),譬如數(shù)字化可編程的芯片和壓擺率控制SRC的驅(qū)動器,提高了驅(qū)動
  • 英飛凌與現(xiàn)代重工韓國造船與海洋工程有限公司聯(lián)合開發(fā)船舶電氣化技術(shù)2024-04-12 08:14

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)與現(xiàn)代重工韓國造船與海洋工程有限公司(HDKSOE)簽署諒解備忘錄(MoU),這是雙方為了低碳節(jié)能,利用功率半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合開發(fā)新興船用發(fā)動機(jī)和機(jī)械電氣化的第一步。HDKSOE的LH2運輸艦概念設(shè)計HDKSOE是船舶制造領(lǐng)域的先驅(qū)和全球領(lǐng)導(dǎo)者,致力于開發(fā)使用電力和氫能的環(huán)保低碳船舶技術(shù)。其將與
  • MPPT常用拓?fù)湓砼c英飛凌實現(xiàn)方法2024-03-29 08:13

    MPPT(MaximumPowerPointTracking)是光伏逆變器系統(tǒng)實現(xiàn)最大程度利用太陽能的關(guān)鍵部分,不同的MPPT拓?fù)溆懈髯缘奶攸c。本文將對比常見的三種MPPT電路,并對雙boost(DualBoost)的開關(guān)模式限制做了原理性分析,直觀解釋了DualBoost在MPPT中無法交錯開關(guān)。針對不同的電壓與電流等級,本文提供了英飛凌針對各種拓?fù)涞膮⒖?
  • 英飛凌推出新型固態(tài)隔離器,切換速度更快,功耗降低高達(dá)70%2024-03-27 08:13

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)在美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(APEC)上推出全新固態(tài)隔離器產(chǎn)品系列。該系列可實現(xiàn)更快速、可靠的電路交換,并擁有廣電固態(tài)所不具備的保護(hù)功能。這些隔離器采用無磁芯變壓器技術(shù),支持高20倍的能量傳輸?shù)耐瑫r,還具備了電流和溫度保護(hù)功能,實現(xiàn)更高的可靠性和更低的成本。這款方案,與目前使用的傳統(tǒng)的固態(tài)
    MOS 英飛凌 隔離器 951瀏覽量
  • 英飛凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新產(chǎn)品及其在中高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究2024-03-26 08:13

    本文提及的相關(guān)產(chǎn)品,均會在直播中出現(xiàn)掃描上方二維碼即可報名摘要:EconoDUAL3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器(SVG)和風(fēng)電變流器,覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加,英飛凌已經(jīng)基于最新的1700VIGBT7技術(shù)開發(fā)
    IGBT 變頻器 英飛凌 2368瀏覽量
  • 英飛凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度2024-03-20 08:13

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiCMOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上
    MOSFET 英飛凌 逆變器 1165瀏覽量
  • 160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100V MOSFET評估套件2024-03-13 08:13

    新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100VMOSFET評估套件用于電池供電應(yīng)用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1評估套件包括一塊三相逆變器功率板,該功率板帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G(3x310引腳DFN封裝)半橋柵極驅(qū)動器,可驅(qū)動12個額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N
  • 英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC™ MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統(tǒng)2024-03-12 08:13

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲量)提高了20%,不僅提升了整體能效
    MOSFET 碳化硅 英飛凌 1247瀏覽量