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翠展微電子

文章:52 被閱讀:11.9w 粉絲數(shù):8 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):5

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解析Si IGBT與SiC MOSFET的根本區(qū)別

面對(duì)高效、緊湊的電力電子系統(tǒng)需求,功率器件的選型已成為設(shè)計(jì)核心。當(dāng)前,SiC MOSFET與硅基IG....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 03-03 09:22 ?1833次閱讀
解析Si IGBT與SiC MOSFET的根本區(qū)別

上海電機(jī)學(xué)院材料學(xué)院一行蒞臨翠展微電子參訪交流

為進(jìn)一步深化校企合作內(nèi)涵,創(chuàng)新人才培養(yǎng)模式,近日,上海電機(jī)學(xué)院材料學(xué)院副院長(zhǎng)楊淼森、黨總支副書(shū)記孔祥....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 01-15 09:33 ?367次閱讀

翠展微電子2025年度高光時(shí)刻回顧

2025年,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)在持續(xù)優(yōu)化與升級(jí)中展現(xiàn)出強(qiáng)勁的韌性與活力,整體發(fā)展態(tài)勢(shì)穩(wěn)步向好,創(chuàng)新動(dòng)能不....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 01-06 17:29 ?1225次閱讀

翠展微電子在2025年國(guó)際應(yīng)用計(jì)算電磁學(xué)會(huì)議榮獲最佳學(xué)生論文獎(jiǎng)

國(guó)際應(yīng)用計(jì)算電磁學(xué)協(xié)會(huì)(Applied Computational Electromagnetics....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 01-06 16:17 ?2027次閱讀
翠展微電子在2025年國(guó)際應(yīng)用計(jì)算電磁學(xué)會(huì)議榮獲最佳學(xué)生論文獎(jiǎng)

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表性材料,下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢(shì),相較于 Si,SiC....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 12-05 10:05 ?7529次閱讀
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)

翠展微電子與上海工程技術(shù)大學(xué)深化校企合作

繼11月初首輪合作洽談后,校企雙方互動(dòng)持續(xù)升溫。11月13日,上海工程技術(shù)大學(xué)材料學(xué)院李軍院長(zhǎng)、張艷....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 12-05 10:01 ?1386次閱讀

翠展微電子攜手上海電機(jī)學(xué)院助力功率半導(dǎo)體人才培養(yǎng)

繼本月初在上海工程技術(shù)大學(xué)的成功招聘與校企交流之后,翠展微電子校招團(tuán)隊(duì)接續(xù)發(fā)力,赴上海電機(jī)學(xué)院參加“....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 11-27 16:43 ?717次閱讀

翠展微電子榮獲2025年度嘉興市企業(yè)技術(shù)中心

熱烈祝賀浙江翠展微電子有限公司憑借在集成電路領(lǐng)域的卓越技術(shù)創(chuàng)新能力、完善的研發(fā)體系以及顯著的綜合實(shí)力....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 11-27 16:42 ?558次閱讀

翠展微電子推出全新?6-powerSMD?封裝

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,封裝技術(shù)的創(chuàng)新正成為提升系統(tǒng)性能的關(guān)鍵突破口。借鑒ROHM DOT-247“二合一....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 09-29 11:17 ?2293次閱讀
翠展微電子推出全新?6-powerSMD?封裝

GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后,我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 09-02 17:18 ?4697次閱讀
GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

IGBT短路振蕩的機(jī)制分析

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開(kāi)關(guān)....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 08-07 17:09 ?3828次閱讀
IGBT短路振蕩的機(jī)制分析

PWM逆變器的不同調(diào)制方法對(duì)比

PWM為脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulation)的簡(jiǎn)稱(chēng)。由于PWM逆變器的交流側(cè)....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 07-16 14:00 ?3940次閱讀
PWM逆變器的不同調(diào)制方法對(duì)比

翠展微電子加速全球化戰(zhàn)略布局

浙江翠展微電子有限公司國(guó)際化進(jìn)程迎來(lái)兩大重要里程碑!這標(biāo)志著我們?cè)诔蔀槿蝾I(lǐng)先的功率半導(dǎo)體解決方案提....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 07-14 10:19 ?774次閱讀

IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中夾具雜散電感的影響

在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中,夾具的雜散電感(Stray Inductance,Lσ)是影響測(cè)試結(jié)....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 06-04 15:07 ?2119次閱讀
IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中夾具雜散電感的影響

翠展微電子技術(shù)沙龍圓滿(mǎn)結(jié)束

近日,浙江翠展微電子有限公司迎來(lái)了一場(chǎng)技術(shù)盛宴——“技術(shù)賦能·智創(chuàng)未來(lái)”主題沙龍。
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 04-14 15:47 ?778次閱讀

突發(fā)脈沖磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)通常在復(fù)雜的電磁環(huán)境中運(yùn)行,然而,關(guān)于磁場(chǎng)干擾(MFI)對(duì)其性能和可靠性....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 02-25 09:54 ?1868次閱讀
突發(fā)脈沖磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究

翠展微電子完成數(shù)億元B+輪融資

本輪融資由國(guó)科長(zhǎng)三角資本領(lǐng)投,同鑫資本和銀茂控股等跟投,本輪融資資金將主要用于新產(chǎn)線建設(shè)、新設(shè)備購(gòu)置....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 01-09 09:26 ?1069次閱讀

屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介

繼上一篇超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后,我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 12-27 14:52 ?5428次閱讀
屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介

翠展微電子榮登2023年長(zhǎng)三角數(shù)字經(jīng)濟(jì)獨(dú)角獸(潛在)企業(yè)榜單

日前,長(zhǎng)三角一體化數(shù)字文明共建共享——2024年數(shù)字長(zhǎng)三角發(fā)展大會(huì)在桐鄉(xiāng)烏鎮(zhèn)舉行。
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 11-27 11:08 ?1299次閱讀

功率模塊中的結(jié)溫估算技術(shù)

結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件,IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IG....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 11-13 10:19 ?2496次閱讀
功率模塊中的結(jié)溫估算技術(shù)

翠展微電子榮登第五屆畢馬威中國(guó)“芯科技”新銳企業(yè)50榜單

近日,第五屆畢馬威中國(guó)“芯科技”新銳企業(yè)50評(píng)選榜單發(fā)布暨頒獎(jiǎng)典禮在國(guó)家會(huì)展中心(上海)畢馬威展臺(tái)舉....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 11-07 15:44 ?1302次閱讀

翠展微電子IGBT產(chǎn)品的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

機(jī)床在制造業(yè)中具有基礎(chǔ)性和戰(zhàn)略性地位,是衡量國(guó)家工業(yè)發(fā)展水平的重要標(biāo)志。在當(dāng)前我國(guó)制造業(yè)向中高端轉(zhuǎn)型....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 10-21 10:42 ?1798次閱讀
翠展微電子IGBT產(chǎn)品的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

IGBT芯片工藝流程簡(jiǎn)述

IGBT,全稱(chēng)絕緣柵雙極性晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 08-19 16:19 ?3002次閱讀
IGBT芯片工藝流程簡(jiǎn)述

功率模塊中的激光焊接技術(shù)簡(jiǎn)介

隨著我國(guó)新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展,功率模塊作為新能源汽車(chē)的能量轉(zhuǎn)換的重要裝置,其重要性不言而喻,并且功率....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 08-05 10:57 ?1519次閱讀
功率模塊中的激光焊接技術(shù)簡(jiǎn)介

翠展微亮相2024年慕尼黑上海電子展

隨著科技的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體作為電子信息技術(shù)的核心組件,在新能源、光伏、工業(yè)等領(lǐng)域發(fā)揮著舉足輕重的....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 07-09 10:44 ?1272次閱讀

功率器件廠商翠展微電子將亮相第十一屆國(guó)際汽車(chē)技術(shù)展覽會(huì)

翠展微電子將亮相在廣州舉辦的第十一屆國(guó)際汽車(chē)技術(shù)展覽會(huì);5月15日--17日,屆時(shí)大家可以在1號(hào)館A....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 05-10 11:55 ?1150次閱讀

翠展微閃耀亮相第十八屆北京國(guó)際汽車(chē)展覽會(huì),展現(xiàn)前沿科技與綠色出行理念

2024年04月25日,第十八屆北京國(guó)際汽車(chē)展覽會(huì)將在北京中國(guó)國(guó)際展覽中心朝陽(yáng)館盛大開(kāi)展,展會(huì)為期三....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 04-19 11:32 ?1520次閱讀
翠展微閃耀亮相第十八屆北京國(guó)際汽車(chē)展覽會(huì),展現(xiàn)前沿科技與綠色出行理念

翠展微新能源汽車(chē)功率模塊的關(guān)鍵技術(shù)突破與可靠性驗(yàn)證

隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展,功率模塊作為新能源汽車(chē)的能量轉(zhuǎn)換的裝置,其重要性不言而喻。由于汽車(chē)的行駛環(huán)....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 04-12 16:18 ?2639次閱讀
翠展微新能源汽車(chē)功率模塊的關(guān)鍵技術(shù)突破與可靠性驗(yàn)證

翠展微電子入選2023年嘉興市國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)電子信息高成長(zhǎng)十強(qiáng)榜單

本次高新技術(shù)企業(yè)協(xié)會(huì)活動(dòng),共計(jì)有4175家企業(yè)參與,活動(dòng)主要圍繞企業(yè)2021-2023主營(yíng)業(yè)務(wù)收入、....
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 03-01 09:06 ?1364次閱讀
翠展微電子入選2023年嘉興市國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)電子信息高成長(zhǎng)十強(qiáng)榜單

pin針超聲焊接在功率模塊中的應(yīng)用有哪些呢?

隨著近年來(lái)功率模塊的越來(lái)越廣的應(yīng)用,個(gè)別應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)pin連接的可靠性提出了更高的要求。
的頭像 翠展微電子 發(fā)表于 01-15 16:43 ?1987次閱讀
pin針超聲焊接在功率模塊中的應(yīng)用有哪些呢?