電容自舉電路電路圖（三）

OTL功率放大器中要設(shè)自舉電路，圖3所示是自舉電路。電路中的C1，R1和R2構(gòu)成自舉電路。C1為自舉電容，R1O 隔離電阻，R2將自舉電壓加到VT2基極。B140-13-F VT1集電極信號(hào)為正半周期間VT2導(dǎo)通、放大，當(dāng)輸入VT2基極的信號(hào)比較大時(shí)，VT2基極信號(hào)電壓大，由于VT2發(fā)射極電壓跟隨基極電壓，VT2發(fā)射極電壓接近直流工作電壓+V，造成VT2集電極與發(fā)射極之間的直流工作電壓減小，VT2容易進(jìn)入飽和區(qū)，使三極管基極電流不能有效地控制集電極電流。

圖3

（1）換句話講，三極管集電極與發(fā)射極之間直流工作電壓減小后，基極電流增大許多才能使三極管集電極電流有一些增大，顯然使正半周大信號(hào)輸出受到抑制，造成正半周大信號(hào)的輸出不足，必須采取自舉電路來(lái)加以補(bǔ)償。自舉電路實(shí)質(zhì)是在放大器的局部引入正反饋。

（2）自舉電路靜態(tài)分析。靜態(tài)時(shí)，直流工作電壓+V經(jīng)Rl對(duì)Cl充電，使Cl上充有上正下負(fù)的電壓UC1，這樣電路中B點(diǎn)的直流電壓等于A點(diǎn)的直流電壓加上UC1，B點(diǎn)的直流電壓高于A點(diǎn)電壓。

（3）自舉過(guò)程分析。加入自舉電路后，由于Cl容量很大，它的放電回路時(shí)間常數(shù)很大，使Cl上的電壓Uci基本不變。正半周大信號(hào)出現(xiàn)時(shí)，A患電壓升高導(dǎo)致B點(diǎn)電壓也隨之升高。電路中，B點(diǎn)升高的電壓經(jīng)R2加到VT2基極，使VT2基極上的信號(hào)電壓更高（正反饋過(guò)程），有更大的基極信號(hào)電流激勵(lì)VT2，使VT2發(fā)射極輸出信號(hào)電流更大，補(bǔ)償VT2集電極與發(fā)射極之間直流工作電壓下降而造成的輸出信號(hào)電流不足。

（4）隔離電阻作用。自舉電路中，Rl用來(lái)將B點(diǎn)的直流電壓與直流工作電壓+V隔離，使B點(diǎn)直流電壓有可能在某瞬間超過(guò)+ Vo當(dāng)VT2中正半周信號(hào)幅度很大時(shí)，A點(diǎn)電壓接近+V，B點(diǎn)直流電壓更大，并超過(guò)+V，此時(shí)B點(diǎn)電流經(jīng)Rl流向電源+V（對(duì)直流電源+V充電）。如果沒(méi)有電阻Rl的隔離作用（分析視Rl短接），則B點(diǎn)直流電壓最高為+V，而不可能超過(guò)+V，此時(shí)無(wú)自舉作用?？梢?jiàn)設(shè)置隔離電阻Rl后，大信號(hào)時(shí)的自舉作用更好。

電容自舉電路電路圖（四）

（1）存在問(wèn)題

上述情況是理想的。實(shí)際上，圖１的輸出電壓幅值達(dá)不到Vom= Vom/2，這是因?yàn)楫?dāng)vi為負(fù)半周時(shí)，T1導(dǎo)電，因而iB1增加，由于RC3上的壓降和VBE1的存在，當(dāng)K點(diǎn)電位向+VCC接近時(shí)，T1的基流將受限制而不能增加很多，因而也就限制了T1輸向負(fù)載的電流，使RL兩端得不到足夠的電壓變化量，致使Vom明顯小于VCC/2。

（2）改進(jìn)辦法

如果把圖１中D點(diǎn)電位升高， 使VD＞+VCC， 例如將圖中D點(diǎn)與+VCC的連線切斷，VD由另一電源供給，則問(wèn)題即可以得到解決。通常的辦法是在電路中引人R3、C3等元件組成的所謂自舉電路，如圖１所示。

（3）自舉電路的作用

當(dāng)R3C3足夠大時(shí)，VC3不隨vi變化，可認(rèn)為基本不變。這樣，當(dāng)vi為負(fù)時(shí)，T1導(dǎo)電， vK將由VCC/2向更正方向變化， 考慮到vD=vC3+vK= VC3+vK，顯然，隨著K點(diǎn)電位升高，D點(diǎn)電位vD也自動(dòng)升高。 因而，即使輸出電壓幅度升得很高，也有足夠的電流iB1，使T1充分導(dǎo)電。這種工作方式稱(chēng)為自舉，意思是電路本身把vD提高了。