宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET
2011年03月18日 09:22 宜普電源 作者：秩名 用戶評(píng)論（）
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無(wú)鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET。
EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵極電壓為5V。EPC2015是一種40 VDS器件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。與同樣先進(jìn)的硅基功率MOSFET相比，這兩種eGaN FET都具有更卓越的性能優(yōu)勢(shì)。兩種器件都具有低導(dǎo)通電阻，體積比相同電阻的硅器件更小，并且具有卓越許多倍的開(kāi)關(guān)性能。
受益于eGaN FET性能提高的應(yīng)用包括直流-直流電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、筆記本電腦和上網(wǎng)本電腦、LED驅(qū)動(dòng)電路和電信基站。
“環(huán)境保護(hù)是宜普公司發(fā)展業(yè)務(wù)的首要考慮因素，也是我們提供無(wú)鉛、符合RoHS要求的eGaN FET的推動(dòng)力。EPC2001和EPC2015是宜普公司推出的第一批無(wú)鉛且符合RoHS要求的eGaN FET，我們計(jì)劃在今后4個(gè)月內(nèi)讓全部eGaN FET無(wú)鉛化，并符合RoHS要求。”宜普公司合伙創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。
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