WFDN320380-P41 型芯片是一款性能優(yōu)良的 32～38GHz 高功率放大器，使用 0.15um 柵長的氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝制造而成。該芯片通過背面金屬經通孔接地。所有芯片產品全部經 100%射頻測量。WFDN320380-P41 型芯片為雙電源工作，漏極電壓Vds=24V 可在 32～38 GHz 內提供 41dBm 的輸出功率。該芯片主要用于毫米波收發(fā)組件、無線通訊等。
關鍵技術指標
頻率：32～38 GHz
典型小信號增益：25dB
典型輸出功率：42dBm@24V
典型附加效率： 30%
工藝類型：0.15um HEMT 技術
偏置：24V，0.15A（10%）
使用條件：脈沖，連續(xù)被
外形尺寸：2.8mm×3.4mm×0.08mm
漏電壓 28V
漏電流 5A
柵電壓 -10V
柵電流 100mA
直流功耗 28W
輸入信號功率 28dBm
溝道工作溫度 225℃
燒結溫度 310℃ 1min，N2保護
存儲溫度 -55～150℃
壓點定義
RFin 射頻信號輸入端、外接 50 歐姆系統，如該壓點有外加的直流電，需隔直電容
RFout 射頻信號輸出端、外接 50 歐姆系統、無需隔直電容
VG 放大器柵極偏置，需外接 100pF、1000pF 電容
VD1、VD2、VD3 放大器漏極偏置，需外接 100pF、1000pF 電容
GND 芯片底部與射頻及直流地需良好接觸
