--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 衰減范圍 0.25 dB LSB步進(jìn)至31.75 dB
- 低插入損耗 1.1 dB(1.0 GHz時(shí))
- 低插入損耗 1.3 dB(2.0 GHz時(shí))
- 典型步進(jìn)誤差 小于±0.1 dB
- 出色的衰減精度 小于±0.2 dB
- 低相移誤差 6°相移(1.0 GHz)
- 單電源供電 3.3 V至5.0 V
- P1dB 31 dBm(典型值)
- IP3 54 dBm(典型值)
- RF建立時(shí)間 250 ns
- 單電源供電 3.3 V至5.0 V
- ESD額定值 2級(jí)((2 kV人體模型(HBM))
- LFCSP封裝 16mm2
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HMC1119是一款寬帶、高精度、7位數(shù)字衰減器,工作頻率范圍為0.1 GHz至6.0 GHz,以0.25 dB步長(zhǎng)提供31.5 dB的衰減控制范圍。
HMC1119采用硅工藝實(shí)現(xiàn),提供超快速建立時(shí)間、低功耗和高ESD魯棒性。該器件具有安全狀態(tài)轉(zhuǎn)換特性,并針對(duì)頻率和溫度范圍內(nèi)出色的步長(zhǎng)精度和高線(xiàn)性度進(jìn)行了優(yōu)化。RF輸入與輸出為匹配元件。該設(shè)計(jì)為雙向;因此,RF輸入與輸出可以互換。
HMC1119集成了片內(nèi)穩(wěn)壓器,具有3.3 V至5.0 V寬電源工作范圍,而電氣特性性能不會(huì)發(fā)生變化。HMC1119集成一個(gè)驅(qū)動(dòng)器,支持對(duì)衰減器進(jìn)行串行(3線(xiàn)式)和并行控制。
該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。
同時(shí)提供完全填充的評(píng)估板。

衰減范圍:0.25 dB LSB步進(jìn)至31.75 dB
低插入損耗:
1.1 dB(1.0 GHz時(shí))
1.3 dB(2.0 GHz時(shí))
典型步進(jìn)誤差:小于±0.1 dB
出色的衰減精度:小于±0.2 dB
低相移誤差:6°相移(1.0 GHz)
安全狀態(tài)轉(zhuǎn)換
高線(xiàn)性度
1 dB壓縮(P1dB):31 dBm(典型值)
輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3):54 dBm(典型值)
RF建立時(shí)間(0.05 dB最終RF輸出):250 ns
單電源供電:3.3 V至5.0 V
ESD額定值:2級(jí)((2 kV人體模型(HBM))
24引腳、4mm× 4mm LFCSP封裝:16mm2
應(yīng)用
蜂窩通信基礎(chǔ)設(shè)施
微波無(wú)線(xiàn)電和甚小孔徑終端(VSAT)
測(cè)試設(shè)備和傳感器
IF和RF設(shè)計(jì)
ADRF5473 HMC8073LP3DE
ADH939S HMC1122LP4ME
ADH941S HMC273AMS10GE
ADRF5740BCCZN HMC539ALP3E
ADRF5720BCCZN HMC802ALP3E
ADRF5721BCCZN HMC305SLP4E
ADRF5730BCCZN HMC540SLP3E
ADRF5731BCCZN HMC306AMS10E
HMC425ALP3E HMC1095LP4E
HMC1018ALP4E HMC792ALP4E
HMC1019ALP4E HMC468ALP3E
HMC291SE HMC472ALP4E
HMC1119LP4ME HMC542BLP4E
HMC939A HMC624ALP4E
HMC939ALP4E HMC759LP3E
HMC941A HMC424A
HMC941ALP4E HMC424AG16
HMC470ALP3E HMC424ALH5
HMC629ALP4E HMC424ALP3E
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