C3M0015065D碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關(guān)損耗，可實現(xiàn)最高效率和功率密度，通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先地位；啟用更?。淮蚧饳C(jī); 在更廣泛的電力系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列非常適合包括高性能工業(yè)電源在內(nèi)的應(yīng)用；服務(wù)器/電信電源；電動汽車充電系統(tǒng)；儲能系統(tǒng)；不間斷電源；和電池管理系統(tǒng)。
好處
更高的系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
提高功率密度
提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
易于并聯(lián)且易于驅(qū)動
啟用新的硬開關(guān) PFC 拓?fù)洌▓D騰柱）
特征
第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
低電容的高速開關(guān)
具有低反向的快速本征二極管
應(yīng)用
電動汽車充電
太陽能光伏逆變器
UPS
開關(guān)電源
DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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