C3M0060065J碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關損耗，可實現最高效率和功率密度，通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業(yè)電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充電系統；儲能系統；不間斷電源；和電池管理系統。
好處
? 更高的系統效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統開關頻率
? 易于并聯且易于驅動
? 啟用新的硬開關 PFC 拓撲（圖騰柱）
特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術
? 帶驅動源引腳的低電感封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 7mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
應用
? 電動汽車充電
? 服務器電源
? 太陽能光伏逆變器
? UPS
? DC/DC 轉換器
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