EPM3-1200-0017D1-R01是1200 V 汽車級裸片碳化硅 MOSFET – Gen 3。第 3 代系列 1200 V 碳化硅 MOSFET 針對高功率應用進行了優(yōu)化。提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，它們針對不間斷電源 (UPS) 等大功率應用進行了優(yōu)化；電機驅(qū)動器；開關電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉換器；和更多。基于最新的第三代技術；1200 V 碳化硅 MOSFET 包括一系列導通電阻和封裝選項，使設計人員能夠為其應用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和增加的 CGS/CGD 比率而設計，以提高硬開關性能。軟開關應用也可以從更線性的 COSS 行為中受益。將1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 搭配使用，可在要求苛刻的應用中實現(xiàn)更高效率的強大組合。從基于硅的解決方案轉向碳化硅所獲得的效率有助于減小系統(tǒng)尺寸；重量; 設計復雜性；大多數(shù)大功率應用中的成本。一系列頂面和背面金屬化選項和芯片布局為模塊設計人員提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。
好處
以更低的開關和傳導損耗提高系統(tǒng)效率
減小系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求
實現(xiàn)高開關頻率操作
易于并行并與標準柵極驅(qū)動設計兼容
特征
汽車合格
高阻斷電壓和業(yè)界領先的低 RDS(on) 過溫穩(wěn)定性
抗閉鎖
驅(qū)動器的高柵極電阻
應用
汽車傳動系統(tǒng)
電機驅(qū)動
固態(tài)斷路器
諧振拓撲
阻斷電壓:1200V
電阻：17hR
輸出電容：221pF
反向恢復電荷：1242nC
反向恢復時間 ：53納秒
最高結溫：175°C
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