CPM3-1700-R020E是1700 V 工業(yè)級(jí)裸片碳化硅 MOSFET – Gen 3。符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的第 3 代 1700 V 碳化硅 MOSFET 針對(duì)高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化憑借我們的首款工業(yè) Gen3 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續(xù)在碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。該產(chǎn)品完全符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，具有高阻斷電壓 (1700 V) 和業(yè)界領(lǐng)先的低 R DS(ON)過溫穩(wěn)定性，可在最苛刻的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗和最高品質(zhì)因數(shù)。這些設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化，可用于高功率應(yīng)用，例如機(jī)車牽引、固態(tài)斷路器、太陽(yáng)能、不間斷電源等?；谧钚碌牡谌夹g(shù)；1700 V 裸片碳化硅 MOSFET 包括一系列導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)，使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇正確的器件。1700 V MOSFET 專為低 R DS(ON)設(shè)計(jì)，易于并聯(lián)并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)兼容。從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向碳化硅所獲得的效率有助于減少系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求。背面金屬化為模塊設(shè)計(jì)人員在選擇組裝工藝和模塊布局方面提供了更好的解決方案
好處
以更低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
減小系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求
實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率操作
易于并行并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)兼容
特征
工業(yè)合格
高阻斷電壓和業(yè)界領(lǐng)先的低 R DS(on)過溫穩(wěn)定性
抗閉鎖
驅(qū)動(dòng)器的高柵極電阻
應(yīng)用
火車牽引
太陽(yáng)能
不間斷電源系統(tǒng) (UPS)
風(fēng)力
阻斷電壓:1700V
電阻：17.5hR
柵極電荷總數(shù)：249nC
輸出電容：188pF
反向恢復(fù)電荷：2557nC
反向恢復(fù)時(shí)間 ：43納秒
最高結(jié)溫：175°C
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