--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 高頻操作 15 GHz
- 典型輸出功率 25 W
- 增益 9.4 GHz 時 11 dB
- 應用電路 8.9 – 9.6 GHz
--- 產(chǎn)品詳情 ---
CGHV1F025S 是無與倫比的;氮化鎵(GaN);專為高效設計的高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L;小號;C; X 和 Ku 波段放大器應用。數(shù)據(jù)表規(guī)格基于 X 波段 (8.9 – 9.6-GHz) 放大器。CGHV1F025S 在 40 伏軌道電路上運行,而封裝在 3 毫米 x 4 毫米;表面貼裝; 雙扁平無引線 (DFN) 封裝。在降低功率下;晶體管可在 40V 以下至低至 20V VDD 的電壓下工作;保持高增益和效率。

特征
高達 15 GHz 的操作
25 W 典型輸出功率
9.4 GHz 時 11 dB 增益
8.9 – 9.6 GHz 的應用電路
應用
大號; 小號;C; X 和 Ku 波段放大器
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