CGHV35150P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGHV35150P

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

額定功率 150 W @ TCASE = 85°C
工作頻率 2.9 – 3.5 GHz
瞬態(tài)占比 100 μsec – 300 μsec @ 20%
功率增益 13.5 dB
典型漏極效率 50 %
脈沖幅度下降 <0.3 dB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV35150 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9 – 3.5GHz S 波段雷達放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭和藥丸封裝。

特征
額定功率 = 150 W @ TCASE = 85°C
工作頻率 = 2.9 – 3.5 GHz
瞬態(tài) 100 μsec – 300 μsec @ 20% 占空比
13.5 dB 功率增益@TCASE = 85°C
50 % 典型漏極效率@TCASE = 85°C
輸入匹配
<0.3 dB 脈沖幅度下降

應用
S 波段雷達放大器

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