CGHV37400F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號(hào)： CGHV37400F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

頻率操作范圍 3.3 – 3.8 GHz
典型輸出功率 525 W
功率增益 11.5分貝
典型排水效率 55%
內(nèi)部匹配 50 歐姆
脈沖幅度下降 <0.3 dB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV37400F 是專為高效設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV37400F 非常適合 3.3 – 3.7 GHz S 波段雷達(dá)放大器應(yīng)用。晶體管在輸入端與 50 歐姆匹配，在輸出端與 50 歐姆匹配。CGHV37400 基于50 V 高功率密度；0.4 μm GaN on碳化硅 (SiC) 鑄造工藝。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

特征
3.3 – 3.8 GHz 操作
525 W 典型輸出功率
11.5分貝功率增益
55% 典型排水效率
50 歐姆內(nèi)部匹配
<0.3 dB 脈沖幅度下降

應(yīng)用
S 波段雷達(dá)放大器

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