CGHV40100P-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Cree

型號： CGHV40100P-AMP

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

操作頻率高達 3 GHz
典型輸出功率 100 W
信號增益 2.0 GHz 時 17.5 dB
應用電路 0.5 – 2.5 GHz
PSAT效率 55%
電壓操作 50 伏

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV40100 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40100；從 50 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力；使 CGHV40100 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用 2 引線法蘭和藥丸封裝。

特征
高達 3 GHz 的操作
100 W 典型輸出功率
2.0 GHz 時 17.5 dB 小信號增益
0.5 – 2.5 GHz 的應用電路
PSAT 的效率為 55%
50 伏操作

應用
線性和壓縮放大器電路

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