--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 操作頻率 高達(dá) 3 GHz 的
- 典型輸出功率 100 W
- 信號(hào)增益 2.0 GHz 時(shí) 17.5 dB 小
- 應(yīng)用電路 0.5 – 2.5 GHz
- PSAT效率 55%
- 操作電壓 50 伏
--- 產(chǎn)品詳情 ---
CGHV40100 是無(wú)與倫比的;氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40100;從 50 伏電壓軌運(yùn)行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率;高增益和寬帶寬能力;使 CGHV40100 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用 2 引線法蘭和藥丸封裝。

特征
高達(dá) 3 GHz 的操作
100 W 典型輸出功率
2.0 GHz 時(shí) 17.5 dB 小信號(hào)增益
0.5 – 2.5 GHz 的應(yīng)用電路
PSAT 的效率為 55%
50 伏操作
應(yīng)用
線性和壓縮放大器電路
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