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GTRA262802FC-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號: GTRA262802FC-V2

--- 產品參數 ---

  • 連續(xù)波性能 典型的脈沖
  • 脈沖寬度 16 μs
  • 占空比 10%
  • 輸出功率為 P3dB = 250 W
  • 增益 14.4 dB

--- 產品詳情 ---

GTRA262802FC是一種250瓦(P3dB)的GaN在SiC上的高電子遷移率用于多標準蜂窩功率放大器應用程序。它具有輸入匹配、效率高、熱增強等特點包裝采用無耳法蘭。

GTRA262802FC-V2

 

特性
GaN on SiC HEMT技術
典型的脈沖連續(xù)波性能,2605 MHz, 48 V,結合
輸出,16 μs脈沖寬度,10%占空比
輸出功率為P3dB = 250 W
效率= 62%
增益= 14.4 dB
能夠處理10:1 VSWR @ 48v, 38w (CW)輸出
人體模型1A類(根據ANSI/ESDA/JEDECjs - 001)
低的熱阻無鉛,符合RoHS要求

 

 

應用
蜂窩功率放大器

 

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