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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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GTRA263902FC-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號(hào): GTRA263902FC-V2

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 輸出功率為 P3dB = 370 W
  • 典型脈沖 連續(xù)波性能
  • 效率 70%
  • 增益 15 dB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
GTRA263902FC是一個(gè)370瓦(P3dB) GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。它的特點(diǎn)是輸入匹配,高效率,熱增強(qiáng)包與無耳法蘭。

GTRA263902FC-V2

 

特性
GaN on SiC HEMT技術(shù)
典型脈沖連續(xù)波性能,2690 MHz, 48 V,
合并后的輸出
輸出功率為P3dB = 370 W
效率= 70%
增益= 15 dB
能夠處理10:1 VSWR @48 V, 56 W (CW)
人體模型1A類(每ANSI/ESDA/電平j(luò)s - 001)
低的熱阻
無鉛,符合RoHS要求

 

應(yīng)用
蜂窩功率放大器

 

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