描述
GTRA360502M有兩個GaN-on-SiC功率晶體管用于非對稱多赫蒂功率放大器。設備已經設計好了用于通信基礎設施應用，從3400兆赫到3800 MHz。它的工作電壓高達50伏，并提供最大平均輸出功率為8瓦。
特性
GaN on SiC HEMT技術
不對稱的多爾蒂設計
—主:P3dB = 20w
—峰值:P3dB = 36w
典型脈沖連續(xù)波性能，3600mhz, 48v, 10 μs
帶寬，占空比10% (Doherty配置)
-輸出功率為P3dB = 50w
-排水效率= 62% @ 50w
人體模型1A類(根據(jù)ANSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛，符合RoHS要求
低的熱阻
應用
蜂窩功率放大器
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