描述
GTRA362002FC 是一款 200 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，設計用于多標準蜂窩功率放大器應用。它具有輸入匹配功能；高效率; 以及帶有無耳法蘭的熱增強封裝。
特征
輸入匹配
非對稱 Doherty 設計：主 P3dB 85 W Typ；峰值 P3dB 115 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能；3500兆赫；48 伏；綜合產(chǎn)出
P3dB 200 W 時的輸出功率
效率 60%
增益 12.5 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @50 V；30 W (CW) 輸出功率
低熱阻
無鉛且符合 RoHS 標準
應用
多標準蜂窩功率放大器
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