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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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GTRA384802FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號: GTRA384802FC-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 峰值 P3dB 280 W
  • 典型的脈沖連續(xù)波性能 3800兆赫
  • 輸出功率 400 瓦
  • 效率 62%
  • 增益 13 分貝

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
GTRA384802FC 是一款 400 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。它具有輸入和輸出匹配;高效率; 以及帶有無耳法蘭的熱增強(qiáng)封裝。
 

GTRA384802FC-V1

 

 

特征
輸入匹配
非對稱 Doherty 設(shè)計:主 P3dB 200 W Typ;峰值 P3dB 280 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能;3800兆赫;48 伏;綜合產(chǎn)出;10% 占空比
輸出功率 400 瓦
效率 62%
增益 13 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @48 V;63 W (WCDMA) 輸出功率
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

 

應(yīng)用
多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器

 

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