描述
GTRA412852FC 是一款 235 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。它具有輸入和輸出匹配；高效率; 以及帶有無(wú)耳法蘭的熱增強(qiáng)封裝。
特征
GaN on SiC HEMT 技術(shù)
輸入輸出匹配
典型的脈沖連續(xù)波性能；4100兆赫；48 伏；10 μs 脈沖寬度；100 μs PP
P3dB 時(shí)的輸出功率 = 235 W
增益 = 10 分貝
效率 = 45%
能夠處理 10:1 VSWR @48 V；30 W (WCDMA) 輸出功率
人體模型 1A 類(lèi)（根據(jù) ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
低熱阻
無(wú)鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器
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