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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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GTVA126001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號(hào): GTVA126001EC-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 占空比; 10%
  • 輸出功率(P3dB) 600W
  • 排水效率 65%;
  • 增益 18 分貝
  • IDQ 100 毫安

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
GTVA126001EC 和 GTVA126001FC 是 600 瓦 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),用于 1200 至 1400 MHz 頻段。它們具有輸入匹配功能;高效率; 和熱增強(qiáng)封裝。
 

GTVA126001EC-V1

 

 

特征
輸入匹配
典型的脈沖連續(xù)波性能(AB 級(jí));1200兆赫;
50伏;300 μs 脈沖寬度;
10% 占空比;
輸出功率(P3dB)=600W;
排水效率 = 65%;
增益 = 18 分貝
能夠在脈沖條件下以 600 W 峰值功率承受 10:1 負(fù)載失配(所有相位角):300 μs 脈沖寬度;10% 占空比;VDD = 50 V;IDQ = 100 毫安
人體模型 1C 類(根據(jù) AnSI/ESDA/JEDEC JS-001)
無(wú)鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
雷達(dá)放大器


相關(guān)型號(hào)
GTVA126001EC-V1
GTVA126001FC-V1
GTVA212701FA-V2
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GTVA261701FA-V1
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GTVA263202FC-V1
GTVA311801FA-V1
GTVA355001EC
LTN / GTVA101K42EV-V1
LTN / GTVA311801FA-V1
LTN/GTVA311801FA-V1
LTN/GTVA355001EC-V1
PTAC210802FC-V1
PTAC240502FC-V1
PTFC210202FC-V1
PTFC261402FC-V1
PTFC262157FH-V1
PTFC262808FV-V1
PTFC270051M-V2
PTFC270101M-V1
PTGA090304MD-V2
PTMC210404MD-V2
PTNC210604MD-V2
PTRA082808NF-V1
PTRA083818NF-V1
PTRA084808NF-V1
PTRA084858NF-V1

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