-
器件參數(shù)
-
EDA模型
-
開發(fā)資料
-
技術(shù)文章
-
社區(qū)問答
-
現(xiàn)貨價格
-
替代物料
FGY75T120SQDN
制造商:ON Semiconductor
描述:IGBT 1200V 75A UFS
Datasheet:
在線詢價
器件參數(shù)
Function
-
集電極電流
150 A
-
集電極發(fā)射極飽和電壓
1.95 V
-
集電極-發(fā)射極擊穿電壓
1200 V
-
類型
場截止
-
柵極電荷
399 nC
-
晶體管類型
Field Stop
-
反向恢復時間
99 ns
-
功率耗散
790 W
Physical
-
工作溫度@Tj
175 °C
-
工作溫度(Min)
-55 °C
-
工作溫度(Max)
175 °C
-
安裝方式
DIP
-
制造商封裝
TO-247-3
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)