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FDN86246

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數

Function

  • 閾值電壓
    3.4 V
  • 閘/源截止電壓
    3.4 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    1.6 A
  • 輸入偏置電容@75V
    167 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    261 mΩ
  • 漏源電壓
    150 V
  • 漏源極擊穿電壓
    150 V
  • 漏源導通電阻@10V,1.6A
    195 mΩ
  • 漏源導通電阻
    261 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3.4 V
  • 柵極電荷@0~5V
    1.6 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    4.5 ns
  • 反向傳輸電容@75V
    1.6 pF
  • 功率耗散
    1.5 W
  • 擊穿電壓
    150 V
  • 關閉延遲時間
    8 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    2.9 ns
  • 上升時間
    1.1 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SSOT-3

Compliance

  • 無鉛
    Yes
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    940 μm
  • 長度
    1.4 mm
  • 寬度
    2.92 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料