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PSMN9R5-100PS-HXY

制造商：HXY MOSFET

描述：該N溝道MOSFET具有70A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為100V，導(dǎo)通電阻低至8.5毫歐，在柵源電壓不超過20V的條件下穩(wěn)定工作。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及高頻開關(guān)等應(yīng)用場景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關(guān)特性，在保持高可靠性的同時，支持快速切換操作，滿足多種電子系統(tǒng)中對高效能功率開關(guān)的需求。

在線詢價

器件參數(shù)

Physical

  • 制造商封裝
    TO-220C
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

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