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SIA907EDJT-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

配置

Dual
通道數(shù)量

2
連續(xù)漏極電流

4.5 A
漏源電阻

57 mΩ
漏源電壓

20 V
漏源極擊穿電壓

-20 V
漏源導通電阻

57 mΩ
柵源電壓

12 V
柵極電荷@10V

23 nC
晶體管類型

2個P溝道(雙)
接通延遲時間

5 ns
功率耗散

1.9 W, 7.8 W
關閉延遲時間

30 ns
元件數(shù)量

2
下降時間

10 ns
上升時間

10 ns
FET功能

邏輯電平門

Physical

重量

0.000988 oz
抗輻射加固

No
引腳數(shù)

6
工作溫度

-55 °C, 150 °C
安裝方式

Surface Mount
包裝方式

Tape and Reel
制造商封裝

PowerPAK?SC70-6 Dual

Compliance

無鉛

Contains Lead

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庫存量：0

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數(shù)量

單價

總價(階梯最低數(shù)量總價)

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原理圖符號

封裝

3D模型

替代物料

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