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STL18NM60N

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    3 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    12 A
  • 輸入偏置電容
    1 nF
  • 漏源電阻
    310 mΩ
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源極擊穿電壓
    600 V
  • 漏源導通電阻
    310 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵極電荷@10V
    35 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    20 ns
  • 功率耗散
    110 W
  • 關閉延遲時間
    50 ns
  • 下降時間
    40 ns
  • 上升時間
    22 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    5
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    600

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    950 μm
  • 長度
    8 mm
  • 寬度
    8 mm
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

替代物料