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NGTB50N65FL2WG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

Datasheet：

在線詢價
  • Farnell
    Farnell
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    100 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    1.8 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    2 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    650 V
  • 配置
    Single
  • 類型
    溝槽場截止
  • 正向電流
    100 A
  • 正向電壓
    2.1 V
  • 柵極電荷
    220 nC
  • 晶體管類型
    溝槽型場截止
  • 反向恢復時間
    94 ns
  • 功率耗散
    417 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料