產(chǎn)品
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D5007UK功率晶體管TT Electronics2022-06-27 19:00
產(chǎn)品型號：D5007UK 工作電壓：20V 功率輸出：5W 測試頻率：1GHz 應(yīng)用范圍：1-1000MHz 有源FET配置：3 -
D5006UK功率晶體管TT Electronics2022-06-27 18:58
產(chǎn)品型號：D5006UK 工作電壓：20V 功率輸出： 5W 最低效率：50 測試頻率：1GHz 應(yīng)用范圍：1-1000MHz -
CMPA1D1E030D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:34
產(chǎn)品型號：CMPA1D1E030D 小信號增益：27 dB 工作電壓高：40 V 擊穿電壓：高 操作環(huán)境：高溫操作 典型 PSAT：30 W -
CMPA1D1E025F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 17:26
產(chǎn)品型號：CMPA1D1E025F-AMP 小信號增益：24 dB 典型脈沖 PSAT：40 W 工作電壓高達： 40 V 線性功率：OQPSK 下的 20 W A/B類高增益；：高效率50歐MMIC Ku波段大功率放大器 -
CMPA1D1E025F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:23
產(chǎn)品型號：CMPA1D1E025F 小信號增益：24 dB 典型脈沖 PSAT：40 W 工作電壓：高達 40 V A/B類高增益；：高效率50歐MMIC Ku波段大功率放大器 -
CMPA1C1D080F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:17
產(chǎn)品型號：CMPA1C1D080F 90 W 典型 P： >21% 典型功率附加效率 小信號增益： 25 dB 總輸出功率：-30 dBc IM3 時總輸出功率為 20 W 工作電壓：工作電壓高達 40 V -
CMPA1C1D060D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:02
產(chǎn)品型號：CMPA1C1D060D 小信號增益：26 dB 典型 PSAT：60 W 工作電壓高達： 40 V 高擊：穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA0060025F1-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 16:43
產(chǎn)品型號：CMPA0060025F1-AMP 小信號增益：18 dB 工作電壓高達： 50 V 擊穿電壓：高 耐高溫：高溫操作 典型 PSAT：30 W -
CMPA0060025F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 16:41
產(chǎn)品型號：CMPA0060025F-AMP 小信號增益：18 dB 典型 PSAT：30 W 工作電壓高達： 50 V 擊穿電壓：高 耐高溫：高溫操作 -
CMPA0060025F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 16:39
產(chǎn)品型號：CMPA0060025F1 小信號增益：18 dB 典型 PSAT：30 W 工作電壓：高達 50 V 擊穿電壓：高 耐高溫：高溫操作