總體說(shuō)明
AGM065N10F 將先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 。
該器件非常適合用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用場(chǎng)景。
特性
- 先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)
- 低導(dǎo)通電阻 RDS(ON)，可將傳導(dǎo)損耗降至最低
- 低柵極電荷，實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)
- 低熱阻
應(yīng)用
- 內(nèi)存 / 顯卡核心電壓（MB/VGA Vcore）
- 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）二次側(cè)同步整流器
- 負(fù)載點(diǎn)（POL）應(yīng)用
- 無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
