中科君芯JFG8N30G 30V N溝道增強(qiáng)型功率驅(qū)動(dòng)器是種特定的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）主要應(yīng)用電池管理系統(tǒng)和電源，MOSFET由于其低導(dǎo)通電阻、大電流能力和邏輯電平驅(qū)動(dòng)的特性，特別適用于需要高效、大電流驅(qū)動(dòng)的電路，如汽車(chē)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域?。其關(guān)鍵參數(shù)和特性如下：
功能特性：
- ? 設(shè)備額定電壓VDS:=30V,連續(xù)工作時(shí)漏極電流上限 ID = 8A
- ? 導(dǎo)通電阻=15mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 8A
- 導(dǎo)通電阻=25mΩ (typ.) 柵源電壓= 4.5V, 漏極電流 = 6A
- ? 專(zhuān)有高密度溝槽技術(shù)
- 符合RoHS和無(wú)鹵素 （不含鹵素或鹵素含量極低的材料或產(chǎn)品）
- 封裝： SOP-8L
絕對(duì)最大額定值 ：
- ?VDS（Drain-Source Voltage）?：30V
- ?VGS（Gate-Source Voltage）?：±20V
- ?ID（Continuous Drain Current）?：Tc=25°對(duì)應(yīng)最大漏極電流上限8.9A,Tc=70°對(duì)應(yīng)漏極電流上限最大值7.1A
- ?IDM（Pulsed Drain Current）：64A
- PD（Total Power Dissipation）?：TC =25℃ 對(duì)應(yīng)2.15W,TA = 70℃對(duì)應(yīng)0.86W
- EAS單脈沖雪崩能量:8mJ
- RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:58°C\W
- RθJL:結(jié)到殼的熱阻:20°C\W
- ?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C
（除非另有說(shuō)明，TC=25℃）
————其他詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系深圳市泰凌微電子有限公司團(tuán)隊(duì)————————————
