91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K1282-Z-E2-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1282-Z-E2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

K1282-Z-E2-VB 是一款高效的 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中低壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 60V,使其非常適合用于各類電源管理和開關(guān)電路。最大柵源電壓 (VGS) 為 ±20V,能夠滿足多種驅(qū)動(dòng)需求。其閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,確保在低電壓下快速導(dǎo)通,優(yōu)化了系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間。K1282-Z-E2-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 10V 時(shí)為 73mΩ,在 4.5V 時(shí)為 85mΩ,具有良好的導(dǎo)電性能和較低的導(dǎo)通損耗,適合高頻開關(guān)應(yīng)用。采用 Trench 技術(shù),該 MOSFET 在高溫和高頻條件下具有卓越的性能和穩(wěn)定性。

**二、詳細(xì)參數(shù)說明:**

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)?N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 73mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:18A  
- **技術(shù)**:Trench  

**三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:K1282-Z-E2-VB 可廣泛用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,能夠有效調(diào)節(jié)輸出電壓,確保高效能的電源管理,適合于電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)電源等應(yīng)用。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:該 MOSFET 適合用于電機(jī)控制電路,能夠提供高效、穩(wěn)定的電流,適用于電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備,確保電機(jī)在各種負(fù)載條件下的平穩(wěn)運(yùn)行。

3. **LED 照明**:K1282-Z-E2-VB 可作為 LED 驅(qū)動(dòng)電路中的開關(guān)元件,具有低導(dǎo)通損耗,適合于各種照明應(yīng)用,如室內(nèi)照明和景觀照明,能夠提升 LED 的亮度與效率。

4. **汽車電子**:在汽車電子領(lǐng)域,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)和各種電源控制模塊,適合于電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車及其他汽車電子產(chǎn)品,提供高效、可靠的電源供應(yīng)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    501瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    421瀏覽量