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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3992-ZK-E2-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3992-ZK-E2-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K3992-ZK-E2-AY-VB 產(chǎn)品簡介

K3992-ZK-E2-AY-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252,專為低壓高電流應(yīng)用而設(shè)計。該器件具有高達(dá) 30V 的漏源電壓 (VDS),支持 ±20V 的柵極電壓 (VGS)。其門限電壓 (Vth) 為 1.7V,確保快速開關(guān)性能和高效率。K3992-ZK-E2-AY-VB 的漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在柵極電壓為 4.5V 時為 3mΩ,而在 10V 時更低,僅為 2mΩ,極大地減少了在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗。其最大漏極電流 (ID) 可達(dá) 100A,適合多種高功率應(yīng)用,尤其在開關(guān)電源、汽車電子及電機(jī)控制等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

### 二、K3992-ZK-E2-AY-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:K3992-ZK-E2-AY-VB
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽技術(shù))
- **耗散功率**:待具體應(yīng)用情況下評估
- **開關(guān)速度**:受柵極驅(qū)動電路和工作頻率影響
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C(結(jié)溫)

### 三、K3992-ZK-E2-AY-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**  
  K3992-ZK-E2-AY-VB 在開關(guān)電源設(shè)計中表現(xiàn)出色,因其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。它可用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器等模塊,以提高系統(tǒng)效率并降低能耗。

2. **汽車電子**  
  該 MOSFET 的 30V 漏源電壓使其適合于汽車電子應(yīng)用,如電動助力轉(zhuǎn)向、車載電源管理和電池監(jiān)控系統(tǒng)。其高電流能力 (100A) 能夠滿足汽車內(nèi)部各種電力需求。

3. **電機(jī)控制**  
  K3992-ZK-E2-AY-VB 也非常適合用于電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng),特別是在無刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制中。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性可確保電機(jī)高效運轉(zhuǎn),降低發(fā)熱和損耗。

4. **電源管理和負(fù)載開關(guān)**  
  在電源管理系統(tǒng)中,該器件可以用作負(fù)載開關(guān),以實現(xiàn)高效的電源控制和切換。它的高電流能力和低功耗特性使其成為電池供電設(shè)備的理想選擇,如智能家居設(shè)備和移動電子產(chǎn)品。

綜上所述,K3992-ZK-E2-AY-VB 是一款高效的 MOSFET,適用于多種低壓高電流的電力電子應(yīng)用,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體性能和效率。

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