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ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅單刀雙擲 (SPDT) 反射開關(guān)，采用無引線的表面安裝式封裝。此開關(guān)適用于高功率和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，例如長期演進(jìn) (LTE) 基站。ADRF5160 具有 41 dBm 的高功率處理能力（長期（>10 年）典型平均值 8 dB PAR LTE）、0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz 的低插入損耗、70 dBm 的輸入 3 階交調(diào)點(diǎn) (IP3)（典型值）和 47 dBm 的 0.1 dB 壓縮點(diǎn) (P0.1dB)。片內(nèi)電路使用 5 V 的單一正電源工作，典型電源電流為 1.1 mA，使得 ADRF5160 成為基于 Pin 二極管的開關(guān)的理想替代方案。
ADRF5160 采用符合 RoHS 指令的緊湊式 32 引腳 5 mm × 5 mm LFCSP 封裝。
應(yīng)用
- 無線基礎(chǔ)設(shè)施
- 軍事和高可靠性應(yīng)用
- 測試設(shè)備
- Pin 二極管替代方案
- 反射式 50 ? 設(shè)計(jì)
- 低插入損耗：0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz
- TCASE = 105°C 下具有高功率處理能力
- 長期（>10 年）平均值
- 連續(xù)波功率：43 dBm
- 峰值功率：49 dBm
- LTE 平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
- 單一事件（<10 秒）平均值
- LTE 平均功率 (8 dB PAR)：44 dBm
- 長期（>10 年）平均值
- 高線性度
- P0.1dB：47 dBm（典型值）
- IP3：70 dBm（典型值）
- ESD 額定值
- HBM：4 kV（3A 級）
- CDM：1.25 kV
- 單一正電源：5 V
- 正控制，CMOS/TTL 兼容
- 32 引腳 5 mm × 5 mm LFCSP 封裝
HMC1055
HMC349ALP4CE
HMC349AMS8G
HMC849A
HMC194A
HMC284A
HMC546LP2E
HMC546MS8G
HMC646
HMC536LP2
HMC536MS8G
ADG936
ADG904
ADG901
ADG902
ADG918
ADG919
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