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ADG901/ADG902是采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝制成、具有高隔離和低插入損耗特點(diǎn)并且頻率達(dá)1 GHz的寬帶開(kāi)關(guān)。ADG901是一款具有50 Ω端接分流引腳的吸收式（匹配）開(kāi)關(guān)，而ADG902則是一款反射式開(kāi)關(guān)。這些器件設(shè)計(jì)為在DC至1 GHz頻率范圍內(nèi)具有高隔離特性。這些開(kāi)關(guān)允許用戶傳遞高達(dá)0.5 V的直流信號(hào)，無(wú)需使用隔直電容。它們集成了板載CMOS控制邏輯，從而無(wú)需外部控制電路。控制輸入均兼容CMOS和LVTTL。這些CMOS器件具有低功耗特性，使其非常適合無(wú)線應(yīng)用和通用高頻開(kāi)關(guān)。
產(chǎn)品聚焦
- 1. 40 dB關(guān)斷隔離(1 GHz)
2. 0.8 dB插入損耗(1 GHz)
3. 17 dBm P1dB (1 GHz)
應(yīng)用
- 無(wú)線通信
- 通用RF開(kāi)關(guān)
- 雙頻段應(yīng)用
- 高速濾波器選擇
- 數(shù)字收發(fā)器前端開(kāi)關(guān)
- IF開(kāi)關(guān)
- 調(diào)諧器模塊
- 天線分集切換列表
- 吸收式開(kāi)關(guān)
- 允許用戶傳遞高達(dá)0.5 V的直流信號(hào)，無(wú)需使用隔直電容
- 工作頻率范圍：0 Hz至4.5 GHz (?3 dB)
40 dB關(guān)斷隔離（典型值，1 GHz）
0.8 dB插入損耗（典型值，1 GHz）
17 dBm P1dB（典型值，1 GHz） - 提供3 mm × 3 mm、8引腳MSOP和8引腳LFCSP封裝
- 功耗：<1 μA
- CMOS/LVTTL控制邏輯
- 額定電壓范圍：1.65 V至2.75 V
ADG901-EP支持防務(wù)和航空航天應(yīng)用（AQEC標(biāo)準(zhǔn)）
- 軍用溫度范圍：-55°C至+125°C
- 受控制造基線
- 唯一封裝/測(cè)試廠
- 唯一制造廠
- 增強(qiáng)型產(chǎn)品變更通知
- 認(rèn)證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供
- V62/16613 DSCC圖紙?zhí)?/li>
HMC7992
HMC1118
HMC8038
ADH244S
HMC641A-Die
HMC545A
HMC199A
HMC544A
HMC232A
HMC241ALP3E
HMC241AQS16
HMC245A
HMC345A
HMC641ALC4
HMC641ALP4E
HMC1084
HMC190B
HMC197B
HMC221BE
HMC253ALC4
HMC253AQS24
HMC435A
HMC550A
HMC595A
HMC1055
HMC349ALP4CE
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