--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最低頻率(MHz) 直流電
- 最大頻率(MHz) 20,000
- 增益(分貝) 11.5
- OP1dB (dBm 29.5
- 飽和度(dBm) 29.5
- 噪聲系數(shù)(分貝) 1個(gè)
- PAE (%) 56
- 電壓(伏) 8個(gè)
- Idq (毫安) 130
- 包裝(毫米) 0.41 x 0.54 x 0.10
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD2080D 是一款分立式 800 微米 pHEMT,工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2080D 采用 Qorvo 經(jīng)驗(yàn)證的標(biāo)準(zhǔn) 0.25um 功率 pHEMT 生產(chǎn)工藝設(shè)計(jì)。該工藝采用先進(jìn)技術(shù),可在高漏極偏壓工作條件下優(yōu)化微波功率和效率。QPD2080D 通常在 P1dB 時(shí)提供 29.5dBm 的輸出功率,在 1dB 壓縮時(shí)具有 11.5dB 的增益和 56% 的功率附加效率。這種性能使 QPD2080D 適合高效應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)涂層提供了一定程度的環(huán)境穩(wěn)健性和防刮擦保護(hù)。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 20,000
增益(分貝) 11.5
OP1dB (dBm) 29.5
飽和度(dBm) 29.5
噪聲系數(shù)(分貝) 1個(gè)
PAE (%) 56
電壓(伏) 8個(gè)
Idq (毫安) 130
包裝(毫米) 0.41 x 0.54 x 0.10
主要特征
頻率范圍:DC - 20 GHz
典型輸出功率 P1dB:29.5 dBm
12 GHz 時(shí)的典型增益:11.5 dB
12 GHz 時(shí)的典型 PAE:56%
12 GHz 時(shí)的典型 NF:1 dB
無過孔
技術(shù):0.25 um GaAs pHEMT
芯片尺寸:0.41 x 0.54 x 0.10 毫米
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